1.一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：

（1）在基底表面水热生长二硫化钼，获得二硫化钼纳米片阵列电极；

（2）将钴盐溶于挥发非水溶剂，并涂布到二硫化钼纳米片阵列电极表面，干燥待用；

（3）再将第（2）步样品放在硫源与氮源气氛中进行硫化钴纳米颗粒的CVD沉积，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极。

2.根据权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的挥发非水溶剂包括：乙醇、N, N‑二甲基甲酰胺、或甲酰胺。

3.根据权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的钴盐包括氯化钴、乙酸钴、硫酸钴、硝酸钴中的一种或混合，钴盐中钴元素的浓度为300 1500 mM。

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4.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的硫源为硫粉，所述的氮源为NH4Cl或双氰胺；硫源与氮源的质量比为1：

0.1 0.3。

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5.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的硫源与氮源以Ar气或N2气为载气运载传输至第（2）步样品表面。

6.根据权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，硫化反应温度为500 600℃，反应时间为1 3 h。

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