1.一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，由若干个“方环‑四开口环”型矩形周期单元呈周期性排列组成，该矩形周期单元共有两层，由上至下分别是金属图案层、介质基底层，金属图案层紧贴在介质层表面，金属图案层为一个外方环加一个内四开口环，所述外方环为设置于外围的第一正方形环组成，内四开口环包括一个设置于第一正方形环内部且同轴同心的第二正方形环、以及四个连通第一正方形环和穿过第二正方形环开口处的长方形构成，四个长方形设置于第一正方形环和第二正方形环的四个中点位置处，且四个长方形互相之间不相交，其中，外方环通过增加金属面面积的方式增加对斜入射波的反射，内四开口环通过激发LC谐振的方式增加对斜入射波的反射，太赫兹波从金属图案层侧入射，入射太赫兹波波矢k与方环‑四开口环平面的法线之间的角度为θ，电场E始终保持与y轴水平，电场E、磁场H和波矢k之间两两垂直，太赫兹波斜入射到金属图案层时，会激发LC谐振，实现对斜入射波的滤波作用。

2.根据权利要求1所述的一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述介质基底层的材料为聚酰亚胺、烧融石英、硅中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述介质基底层的介电常数为2.5～3.75，损耗正切为0.0027～0.30，其厚度为10～100μm。

4.根据权利要求1所述的一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述介质基底层在x、y方向周期长度均为300～500μm。

5.根据权利要求1所述的一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在7

于，所述金属图案层的厚度为0.1μm，电导率为4.561×10S/m的金层。

6.根据权利要求1所述的一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其特征在于，所述金属图案层中，第二正方形环的边长b＝250.0μm，第二正方形环的环厚度为l2＝

23.0μm，长方形的长l1＝105.0μm，第一正方形环的环厚度l3＝30.0μm。