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专利号: 2021103251675
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于三值忆阻器交叉阵列的数字同或与异或门实现方法,其特征在于:所采用的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器,其数学模型由下式描述:式中的a,b,c,d,e是模型中的可调参数,x为系统内部状态变量,v(t)表示忆阻器两端的电压,i(t)表示流经忆阻器的电流,vth1和vth2代表两个不同的阈值电压,RL、RM、RH分别对应于该模型从低到高的三种不同的阻态,分别代表三值逻辑的“2”、“1”、“0”;

采用十二个上述三值忆阻器构成所述数字同或与异或门,其中两个作为输入忆阻器,另一个作为输出忆阻器,具体采用以下连接方式:

采用4×3结构的三值忆阻器交叉阵列,每个忆阻器都位于横线与纵线的交叉点,且忆阻器的正极都与纵线相连,负极与横线相连;忆阻器M1,1、M2,1、M3,1、M4,1的正极都连接在同一条纵线上,该纵线经开关S1与直流电源V1相连;忆阻器M1,2、M2,2、M3,2、M4,2的正极都连接在同一条纵线上,该纵线经开关S2与直流电源V2相连;忆阻器M1,3、M2,3、M3,3、M4,3的正极都连接在同一条纵线上,该纵线经开关S3与直流电源V3相连;忆阻器M1,1、M1,2、M1,3的负极连接在同一条横线上,该横线经开关S4与直流电源V4相连;忆阻器M2,1、M2,2、M2,3的负极连接在同一条横线上,该横线经开关S5与直流电源V5相连;忆阻器M3,1、M3,2、M3,3的负极连接在同一条横线上,该横线经开关S6与直流电源V6相连;忆阻器M4,1、M4,2、M4,3的负极连接在同一条横线上,该横线经开关S7与直流电源V7相连;此外,十二个忆阻器再分别都经一个开关与一个等阻值的固定电阻并联;对于三值同或门电路,在十二个忆阻器中,忆阻器M1,2和M2,2是输入忆阻器,M4,1是输出忆阻器;对于三值异或门电路,在十二个忆阻器中,忆阻器M1,2和M2,2是输入忆阻器,M3,1是输出忆阻器;

在外加电压作用下,该忆阻器模型能表现出阈值特性;当v>vth2时,忆阻器被置为RL;当vth1

对于数字同或门电路:忆阻器M1,2和M2,2的初始状态是该逻辑门的两个输入A和B,M4,1的初始状态为RH,最终状态为逻辑门输出A⊙B;M1,3、M2,3、M4,2和M4,3的初始状态为RL,M3,2和M3,3的初始状态为RH;

对于数字异或门电路:忆阻器M1,2和M2,2的初始状态是该逻辑门的两个输入A和B,M3,1的初始状态为RL,最终状态为逻辑门输出A⊕B;M1,3、M2,3、M4,2和M4,3的初始状态为RL,M4,1、M3,2和M3,3的初始状态为RH

数字同或门和异或门的真值表如下表所示:

A B A⊙B A⊕B

RH(0) RH(0) RL(2) RH(0)RH(0) RM(1) RM(1) RM(1)RH(0) RL(2) RH(0) RL(2)RM(1) RH(0) RM(1) RM(1)RM(1) RM(1) RM(1) RM(1)RM(1) RL(2) RM(1) RM(1)RL(2) RH(0) RH(0) RL(2)RL(2) RM(1) RM(1) RM(1)RL(2) RL(2) RL(2) RH(0)数字同或门电路的工作过程可分为五个阶段:

第一阶段,开关S2、S3闭合,其余开关断开;电压源V2输出VREAD,其余电压源输出0V;该阶段用于读取输入忆阻器M1,2和M2,2的初始状态,即逻辑门的输入;

第二阶段,开关S1,2、S2,2、S2、S3闭合,其他开关断开,电压源V2输出VNOT,其余电压源输出

0V;此时忆阻器M1,2与固定电阻并联再与忆阻器M1,3串联构成一个标准三值反相器,忆阻器M2,2与固定电阻并联再与忆阻器M2,3串联也构成一个标准三值反相器;经由这两个非门分别得到逻辑变量A和B的“非”运算,即 和 在该阶段,M1,2、M2,2是两个输入忆阻器,M1,3、M2,3是两个输出忆阻器,A和B的非运算结果存储在忆阻器M1,3和M2,3中;

第三阶段,S4、S5以及S6闭合,其余开关断开;电压源V4和V5输出VOR,其余电压源输出0V;

此时忆阻器M1,2、M2,2相当于并联,然后再与忆阻器M3,2串联;同样,忆阻器M1,3、M2,3相当于并联,然后再与M3,3串联;经由忆阻器M1,2、M2,2和M3,2组成的或门电路完成A和B的“或”运算,经由忆阻器M1,3、M2,3和M3,3组成的或门电路完成 和 的“或”运算;在两个或门电路中,忆阻器M1,2、M2,2和M1,3、M2,3分别是两个或门的输入忆阻器,忆阻器M3,2和M3,3分别是是输出忆阻器,A+B和 的结果就分别存储在忆阻器M3,2和M3,3中;

第四阶段,开关S3,2、S3,3、S6、S7闭合,其他开关断开,电压源V6输出‑VNOT,其余电压源输出0V;此时忆阻器M3,2与固定电阻并联再与M4,2串联构成一个标准三值反相器,忆阻器M3,3与固定电阻并联再与M4,3串联也构成一个STI;经由这两个非门分别得到A+B和 的“非”运算,即 和 在该阶段,M3,2、M3,3是两个输入忆阻器,M4,2、M4,3是两个输出忆阻器,A+B和 的非运算结果存储在M4,2和M4,3中;

第五阶段,S1、S2、S3闭合,其余开关断开;电压源V2和V3输出‑VOR,其余电压源输出0V;此时忆阻器M4,2、M4,3相当于并联,然后再与M4,1串联;经由忆阻器M4,2、M4,3和M4,1组成的或门电路完成 和 的“或”运算,运算结果存储在忆阻器M4,1中,即可得到数字同或门电路的最终输出;

数字异或门电路的工作过程可分为五个阶段,其中前五个阶段与数字同或门电路相同工作过程相同,其第六阶段为:

开关S6、S7、S4,1闭合,其他开关断开,电压源V7输出‑VNOT,其余电压源输出0V;此时M4,1与固定电阻并联再与忆阻器M3,1串联构成一个STI;经由这个非门得到 的“非”运算,运算结果存储在M3,1中,即可得到异或门电路的最终输出。

2.根据权利要求1所述的基于三值忆阻器交叉阵列的数字同或与异或门实现方法,其特征在于:令数学模型中的a=e=10,b=10000,c=d=0.2,阈值电压vth1和vth2分别设为

0.9V和1.1V;RH、RM、RL分别为10kΩ、1kΩ、100Ω;固定电阻为25Ω;VREAD为0.3V,VOR为1.25V,VNOT为1.123V;

对于数字同或门电路,运算阶段的第一步为“非”逻辑运算,当输入均为逻辑“0”时,忆阻器M1,2与固定电阻的并联阻值为24.9Ω,忆阻器M1,3两端的分压‑0.8991V,忆阻器M2,2与固定电阻的并联阻值也为24.9Ω,忆阻器M2,3两端的分压‑0.8991V,均不超过阈值电压‑0.9V,因此,忆阻器M1,3和M2,3的状态保持不变,即都为逻辑“2”;第二步为“或”逻辑运算,因忆阻器M1,2和M2,2均为“0”、忆阻器M1,3和M2,3均为“2”,则它们的并联总电阻分别为5kΩ、50Ω;此时忆阻器M3,2两端的分压为0.833V,不超过阈值0.9V,因此忆阻器M3,2的状态不变,为逻辑“0”;

而忆阻器M3,3两端的分压为1.244V,超过阈值0.9V,因此忆阻器M3,3的状态切换为RM,在忆阻器M3,3的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M3,3两端新的分压为

1.19V,仍超过了阈值电压1.1V,所以忆阻器M3,3的状态最终被切换为RL,即逻辑“2”;第三步为“非”逻辑运算,忆阻器M3,2与固定电阻的并联阻值为24.9Ω,忆阻器M4,2两端的分压‑

0.8991V,不超过阈值电压‑0.9V,因此忆阻器M4,2状态不变,为逻辑“2”;而忆阻器M3,3与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M4,3两端的分压‑0.9358V,超过了阈值电压‑0.9V,因此切换为RM,在忆阻器M4,3的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M4,3两端新的分压为‑1.101V,仍超过了阈值电压‑1.1V,所以忆阻器M4,3的状态最终被切换为RH,即逻辑“0”;第四步为“或”逻辑运算,因忆阻器M4,2和M4,3分别为“2”和“0”,则它们的并联总电阻为

99Ω,此时忆阻器M4,1两端的分压为1.238V,超过了阈值0.9V,因此忆阻器M4,1的状态会被置为RM;在忆阻器M4,1的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M4,1两端新的分压为1.137V,仍超过了阈值电压1.1V,所以忆阻器M4,1的状态最终被切换为RL,即输出忆阻器最终输出逻辑“2”;

当输入为逻辑“0”和“1”,在此取忆阻器M1,2为0、M2,2为1,反之同理;第一步为“非”逻辑运算,忆阻器M1,2与固定电阻的并联阻值为24.9Ω,忆阻器M1,3两端的分压‑0.8991V,忆阻器M2,2与固定电阻的并联阻值为24.3Ω,忆阻器M2,3两端的分压‑0.9035V;忆阻器M1,3两端分压不超过阈值电压‑0.9V,因此忆阻器M1,3的状态保持不变,即为逻辑“2”;忆阻器M2,3两端分压超过阈值电压‑0.9V,因此忆阻器M2,3的状态切换为RM;状态变化后,忆阻器M2,3两端分压变为‑1.0964V,不超过阈值电压‑1.1V,即状态不会进一步变化,为逻辑“1”;第二步为“或”逻辑运算,因M1,2和M2,2为“0”和“1”、忆阻器M1,3和M2,3为“2”和“1”,则它们的并联总电阻分别为

909Ω、90.9Ω;此时忆阻器M3,2两端的分压为1.146V,而M3,3两端的分压为1.239V,均超过阈值0.9V,因此忆阻器M3,2、M3,3的状态都切换为RM,在阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M3,2、M3,3两端新的分压分别为0.655V、1.19V;M3,2两端分压不超过阈值

1.1V,状态不会进一步变化,为逻辑“1”;而忆阻器M3,3两端分压仍超过了阈值电压1.1V,所以M3,3的状态最终被切换为RL,即逻辑“2”;第三步为“非”逻辑运算,忆阻器M3,2与固定电阻的并联阻值为24.3Ω,忆阻器M4,2两端的分压‑0.9035V,M3,3与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M4,3两端的分压‑0.9358V;M4,2和M4,3两端分压均超过阈值电压‑0.9V,因此状态都切换为RM;状态变化后,忆阻器M4,2两端分压变化为‑1.0964V,不超过‑1.1V的阈值电压,因此状态不会进一步变化,为逻辑“1”;忆阻器M4,3两端分压变为‑1.101V,仍超过阈值电压‑

1.1V,即状态进一步置成RH,为逻辑“0”;第四步为“或”逻辑运算,因忆阻器M4,2和M4,3分别为“1”和“0”,则它们的并联总电阻为909Ω,此时忆阻器M4,1两端的分压为1.146V,超过了阈值

0.9V,因此M4,1的状态会被置为RM;在忆阻器M4,1的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,M4,1两端新的分压为0.655V,不超过阈值电压1.1V,所以状态不会进一步变化,即输出忆阻器M4,1最终输出逻辑“1”;

当输入为逻辑“0”和“2”,在此取忆阻器M1,2为0、M2,2为2,反之同理;第一步为“非”逻辑运算,忆阻器M1,2与固定电阻的并联阻值为24.9Ω,忆阻器M1,3两端的分压‑0.8991V,忆阻器M2,2与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M2,3两端的分压‑0.9358V;忆阻器M1,3两端分压不超过阈值电压‑0.9V,因此M1,3的状态保持不变,即为逻辑“2”,忆阻器M2,3两端分压超过阈值电压‑0.9V,因此M2,3的状态切换为RM,状态变化后,M2,3两端分压变为‑1.101V,超过阈值电压‑1.1V,即状态进一步置成RH,为逻辑“0”;第二步为“或”逻辑运算,因忆阻器M1,2和M2,2为“0”和“2”、M1,3和M2,3为“2”和“0”,则它们的并联总电阻均为99Ω,忆阻器M3,2、M3,3两端分压均为1.238V,超过0.9V的阈值电压,故状态均切换为RM;在阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M3,2、M3,3两端新的分压为1.137V,仍超过了阈值电压1.1V,所以忆阻器M3,2、M3,3的状态最终被切换为RL,即输出均为逻辑“2”;第三步为“非”逻辑运算,忆阻器M3,2与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M4,2两端的分压‑0.9358V,忆阻器M3,3与固定电阻的并联阻值也为20Ω,忆阻器M4,3两端的分压‑0.9358V,均超过阈值电压‑0.9V,因此,忆阻器M4,2和M4,3的状态都将切换为RM,阻值发生变化后,两端分压都变化为‑1.101V,仍超过‑

1.1V的阈值电压,因此状态都会进一步切换为RH,即忆阻器M4,2和M4,3都为逻辑“0”;第四步为“或”逻辑运算,因忆阻器M4,2和M4,3均为“0”,则它们的并联总电阻为5kΩ,此时忆阻器M4,1两端的分压为0.833V,不超过阈值0.9V,因此忆阻器M4,1的状态保持不变,即输出忆阻器最终输出逻辑“0”;

当输入均为逻辑“1”时,第一步为“非”逻辑运算,忆阻器M1,2与固定电阻的并联阻值为

24.3Ω,忆阻器M1,3两端的分压‑0.9035V,忆阻器M2,2与固定电阻的并联阻值也为24.3Ω,忆阻器M2,3两端的分压‑0.9035V,均超过阈值电压‑0.9V,因此,忆阻器M1,3和M2,3的状态都将切换为RM,阻值发生变化后,两端分压都变化为‑1.0964V,不超过‑1.1V的阈值电压,因此状态不会进一步变化,忆阻器M1,3和M2,3都为逻辑“1”;第二步为“或”逻辑运算,因忆阻器M1,2和忆阻器M2,2均为“1”、忆阻器M1,3和M2,3也都为“1”,则它们的并联总电阻都为500Ω,此时忆阻器M3,2、M3,3两端的分压都为1.19V,均超过了阈值0.9V,因此忆阻器M3,2、M3,3的状态会被置为RM;在阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M3,2、M3,3两端新的分压都为

0.833V,均未超过阈值电压1.1V,所以状态不会进一步变化,即忆阻器M3,2、M3,3输出都为逻辑“1”;第三步为“非”逻辑运算,忆阻器M3,2与固定电阻的并联阻值为24.3Ω,忆阻器M4,2两端的分压‑0.9035V,忆阻器M3,3与固定电阻的并联阻值也为24.3Ω,忆阻器M4,3两端的分压‑

0.9035V,均超过阈值电压‑0.9V,因此,忆阻器M4,2和M4,3的状态都将切换为RM,阻值发生变化后,两端分压都变化为‑1.0964V,不超过‑1.1V的阈值电压,因此状态不会进一步变化,忆阻器M4,2和M4,3都为逻辑“1”;第四步为“或”逻辑运算,因忆阻器M4,2和M4,3均为“1”,则它们的并联总电阻为500Ω,此时忆阻器M4,1两端的分压为1.19V,超过了阈值0.9V,因此忆阻器M4,1的状态会被置为RM;在阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M4,1两端新的分压为0.833V,未超过阈值电压1.1V,所以状态不会进一步变化,即输出忆阻器M4,1最终输出逻辑“1”;

当输入为逻辑“1”和“2”时,在此取忆阻器M1,2为1、M2,2为2,反之同理;第一步为“非”逻辑运算,忆阻器M1,2与固定电阻的并联阻值为24.3Ω,忆阻器M1,3两端的分压‑0.9035V,M2,2与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M2,3两端的分压‑0.9358V;忆阻器M1,3和M2,3两端分压均超过阈值电压‑0.9V,因此状态都切换为RM;状态变化后,忆阻器M1,3两端分压变化为‑

1.0964V,不超过‑1.1V的阈值电压,因此状态不会进一步变化,为逻辑“1”;M2,3两端分压变为‑1.101V,仍超过阈值电压‑1.1V,即状态进一步置成RH,为逻辑“0”;第二步为“或”逻辑运算,因忆阻器M1,2和M2,2为“1”和“2”、忆阻器M1,3和M2,3为“1”和“0”,则它们的并联总电阻分别为90.9Ω、909Ω;此时忆阻器M3,2两端的分压为1.239V,超过了阈值0.9V,因此忆阻器M3,2的状态会被置为RM;在忆阻器M3,2的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M3,2两端新的分压为1.146V,仍超过了阈值电压1.1V,所以忆阻器M3,2的状态最终被切换为RL,即逻辑“2”;而忆阻器M3,3两端的分压为1.146V,超过了阈值0.9V,因此忆阻器M3,3的状态会被置为RM;在忆阻器M3,3的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,新的分压为

0.655V,不超过阈值电压1.1V,所以忆阻器M3,3的状态不会进一步变化,即逻辑“1”;第三步为“非”逻辑运算,忆阻器M3,2与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M4,2两端的分压‑

0.9358V,忆阻器M3,3与固定电阻的并联阻值为24.3Ω,忆阻器M4,3两端的分压‑0.9035V;忆阻器M4,2和M4,3两端分压均超过阈值电压‑0.9V,因此状态都切换为RM;状态变化后,忆阻器M4,2两端分压变为‑1.101V,仍超过阈值电压‑1.1V,即状态进一步置成RH,为逻辑“0”;忆阻器M4,3两端分压变化为‑1.0964V,不超过‑1.1V的阈值电压,因此状态不会进一步变化,为逻辑“1”;第四步为“或”逻辑运算,因忆阻器M4,2和M4,3分别为“0”和“1”,则它们的并联总电阻为909Ω,此时忆阻器M4,1两端的分压为1.146V,超过了阈值0.9V,因此忆阻器M4,1的状态会被置为RM;在忆阻器M4,1的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M4,1两端新的分压为0.655V,不超过阈值电压1.1V,所以状态不会进一步变化,即输出忆阻器M4,1最终输出逻辑“1”;

当输入均为逻辑“2”时,第一步为“非”逻辑运算,忆阻器M1,2与固定电阻的并联阻值为

20Ω,忆阻器M1,3两端的分压‑0.9358V,忆阻器M2,2与固定电阻的并联阻值也为20Ω,忆阻器M2,3两端的分压‑0.9358V,均超过阈值电压‑0.9V,因此,忆阻器M1,3和M2,3的状态都将切换为RM,阻值发生变化后,两端分压都变化为‑1.101V,仍超过‑1.1V的阈值电压,因此状态都会进一步切换为RH,忆阻器M1,3和M2,3都为逻辑“0”;第二步为“或”逻辑运算,因忆阻器M1,2和M2,2均为“2”、忆阻器M1,3和M2,3均为“1”,则它们的并联总电阻分别为50Ω、5kΩ;此时M3,2两端的分压为1.244V,超过阈值0.9V,因此忆阻器M3,2的状态切换为RM,在忆阻器M3,2的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,新的分压为1.19V,仍超过了阈值电压1.1V,所以M3,2的状态最终被切换为RL,即逻辑“2”;而忆阻器M3,3两端的分压为0.833V,不超过阈值

0.9V,因此忆阻器M3,3的状态不变,为逻辑“0”;第三步为“非”逻辑运算,忆阻器M3,2与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M4,2两端的分压‑0.9358V,超过了阈值电压‑0.9V,因此切换为RM,在忆阻器M4,2的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M4,2两端新的分压为‑1.101V,仍超过了阈值电压‑1.1V,所以忆阻器M4,2的状态最终被切换为RH,即逻辑“0”;而忆阻器M3,3与固定电阻的并联阻值为24.9Ω,忆阻器M4,3两端的分压‑0.8991V,不超过阈值电压‑0.9V,因此忆阻器M4,3状态不变,为逻辑“2”;第四步为“或”逻辑运算,因忆阻器M4,2和忆阻器M4,3分别为“0”和“2”,则它们的并联总电阻为99Ω,此时忆阻器M4,1两端的分压为1.238V,超过了阈值0.9V,因此忆阻器M4,1的状态会被置为RM;在忆阻器M4,1的阻值发生变化后,电压会在忆阻器之间重新分配,忆阻器M4,1两端新的分压为1.137V,仍超过了阈值电压1.1V,所以忆阻器M4,1的状态最终被切换为RL,即输出忆阻器最终输出逻辑“2”;

对于数字异或门电路,经过上述的运算的四个步骤后得到忆阻器M4,1的输出结果,再通过由忆阻器M4,1与固定电阻并联再与忆阻器M3,1串联构成的一个STI后,即可得到异或门输出忆阻器M3,1的结果;

因此,当输入均为“0”或均为“1”时,经上述四个步骤,得到忆阻器M4,1的输出为RL,即逻辑“2”;然后第五步为“非”运算,此时忆阻器M4,1与固定电阻的并联阻值为20Ω,忆阻器M3,1两端的分压‑0.9358V,超过阈值电压‑0.9V,因此忆阻器M3,1的状态切换为RM,状态变化后,两端分压变为‑1.101V,仍超过阈值电压‑1.1V,即状态进一步置成RH,为逻辑“0”;

当输入为“0”和“1”、“1”和“1”、“1”和“2”时,经上述四个步骤,得到忆阻器M4,1的输出为RM,即逻辑“1”;然后第五步为“非”运算,忆阻器M4,1与固定电阻的并联阻值为24.3Ω,忆阻器M3,1两端的分压‑0.9035V,超过阈值电压‑0.9V,因此,忆阻器M3,1的状态将切换为RM,阻值发生变化后,两端分压变化为‑1.0964V,不超过‑1.1V的阈值电压,因此状态不会进一步变化,即最终输出为逻辑“1”;

当输入为“0”和“2”时,经上述四个步骤,得到忆阻器M4,1的输出为RH,即逻辑“0”;然后第五步为“非”运算,忆阻器M4,1与固定电阻的并联阻值为24.9Ω,忆阻器M3,1两端的分压‑

0.8991V,不超过阈值电压‑0.9V,因此忆阻器M3,1的状态保持不变,即最终输出为逻辑“2”。