1.一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)绝缘衬底的准备：将绝缘衬底在不同有机溶剂中进行超声处理，清洗后用氮气吹干；

2)反应物的准备：称取前驱物钼源、锡源与硫源，将前驱物钼源、锡源与硫源分别置于三个独立的反应容器中，将步骤1)得到的绝缘衬底倒扣于承载钼源的反应容器上；

3)反应温度的设定：将反应炉不同温区根据需要制定不同的升温速率、升温阶段、恒温阶段和降温阶段时间；

4)产物的生成：首先将步骤2)得到的三个反应容器水平放入反应炉的各个温区中央，从上游到下游依次放置为硫源、锡源与钼源，再用惰性气体对反应炉进行清洗，洗气完成后按照预先设定温度曲线进行加热，最后经过降温阶段得到掺锡二维硫化钼。

2.根据权利要求1所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，硫源、锡源与钼源的质量比为：1∶18‑22∶8‑12。

3.根据权利要求2所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，硫源、锡源与钼源的质量比为：1∶20∶10。

4.根据权利要求1所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述钼源包括钼的氧化物、氯化物或单质；所述锡源包括锡的硫化物或氯化物；所述硫源为硫粉。

5.根据权利要求1所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，锡源温区的升温速率13‑19℃/min，温度到达600‑700℃时，进入恒温阶段维持25‑

35min；钼源温区的升温速率20‑30℃/min，温度到达800‑900℃时，进入恒温阶段维持30‑

40min；硫源温区在反应进行20‑25min后开始加热，升温速率为15‑20℃/min，温度到达150‑

230℃时，进入恒温阶段维持32‑38min。

6.根据权利要求1所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述降温阶段为自然冷却，冷却至室温。

7.根据权利要求1所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中，升温阶段开始前，惰性气体的流速为100‑500sccm，持续时间25‑35min。

8.根据权利要求1所述的一种掺锡二维硫化钼的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中，在整个升温阶段、保温阶段及降温阶段过程中使用流速为60‑120sccm的惰性气体作为载气。

9.一种如权利要求1‑8任一项所述的方法制备得到的掺锡二维硫化钼晶体材料。

10.一种如权利要求9任一项所述的掺锡二维硫化钼晶体材料在纳米电子器件与光电功能器件上的应用。