1.一种内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，所述内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器包括半模基片集成波导，所述半模基片集成波导包括介质基板总成，所述介质基板总成包括第一金属层(1)和与所述第一金属层(1)相对设置的第二金属层(2)，所述第一金属层(1)和所述第二金属层(2)通过多个金属通孔(3)连接，多个金属通孔(3)形成通孔阵列以使得所述介质基板总成内部形成基片集成导波结构，所述第一金属层(1)上蚀刻有双内旋式开环谐振结构(4)，所述双内旋式开环谐振结构(4)包括对称设置的两个端点，所述两个端点同时向环内部螺旋延伸以使得所述双内旋式开环谐振结构(4)的各个边部均至少包括2条蚀刻线(41)。

2.根据权利要求1所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，所述内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器还包括位于所述第一介质基板(5)和所述第二介质基板(6)之间的金属线(9)，所述金属线(9)沿与所述金属通孔(3)的连接方向垂直的方向设置，所述介质基板总成还包括两个金属盲孔(11)，两个所述金属盲孔(11)贯穿所述第一介质基板(5)，所述金属线(9)的两个端点分别与位于所述介质基板总成两端的两个所述金属盲孔(11)连接。

3.根据权利要求1所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，所述介质基板总成还包括第一介质基板(5)和第二介质基板(6)，所述第一金属层(1)铺设于所述第一介质基板(5)的上表面，所述第二金属层(2)铺设于所述第二介质基板(6)的下表面，多个所述金属通孔(3)自所述第一金属层(1)依次穿过所述第一介质基板(5)和所述第二介质基板(6)后与所述第二金属层(2)连接。

4.根据权利要求3所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，所述内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器还包括频率影响介质，所述第二介质基板(6)远离所述第二金属层(2)的一面上开设有用于容纳所述频率影响介质的凹槽。

5.根据权利要求4所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，所述频率影响介质构造为液晶(7)。

6.根据权利要求5所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，沿所述金属通孔(3)的连接方向，所述液晶(7)的填充厚度与所述第二介质基板(6)的厚度相等。

7.根据权利要求5所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，沿垂直于所述金属通孔(3)的连接方向，所述液晶(7)的填充宽度不小于所述双内旋式开环谐振结构(4)的宽度。

8.根据权利要求3所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，沿所述金属通孔(3)的连接方向，所述第二介质基板(6)的厚度大于所述第一介质基板(5)的厚度。

9.根据权利要求1所述的内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器，其特征在于，所述内嵌耦合金属线的半模基片集成波导液晶可调滤波器包括多个双内旋式开环谐振结构(4)，多个所述双内旋式开环谐振结构(4)通过蚀刻于所述第一金属层(1)上的槽线(8)分隔。