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专利号: 2021104070412
申请人: 山东科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,包括:将泡沫镍片进行煅烧,包覆PDA,碳化即得。

2.根据权利要求1所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述煅烧温度为600‑900℃,煅烧时间为0.5‑3h,优选为650℃,2h;

优选地,所述煅烧过程中,升温速率为3‑8℃/min,优选为5℃/min;

优选地,所述煅烧过程中在惰性气体氛围下进行,优选的,惰性气氛为选自氮气、氦气和氩气。

3.根据权利要求1所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述包覆PDA的步骤包括:将煅烧后的泡沫镍片浸泡在盐酸多巴胺溶液中,通入空气进行自聚合反应,烘干即可。

4.根据权利要求3所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述盐酸多巴胺溶液pH值为7‑12,优选为8.5。

5.根据权利要求3所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述盐酸多巴胺溶液的制备方法包括取适量多巴胺,加入pH值为7‑12的缓冲溶液。

6.根据权利要求5所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述缓冲溶液选自三羟甲基氨基甲烷溶液。

7.根据权利要求1所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述碳化温度为600‑900℃,碳化时间为1‑3h,优选为700℃,2h。

8.根据权利要求1所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述碳化温度高于煅烧温度;

优选的,碳化温度高于煅烧温度50‑250℃,进一步优选为50℃;

优选的,所述碳化过程中,升温速率为1‑5℃/min,优选为2℃/min。

9.权利要求1所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料的制备方法制备得到的以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料。

10.权利要求9所述以泡沫镍片为基底的NiO/C复合材料在制备电极材料中的应用。