1.一种碳化硼基复合陶瓷，其特征在于，所述碳化硼基复合陶瓷的原料包括碳化硼粉、硅化锆粉、碳化硅晶须，将所述原料球磨混合后经放电等离子烧结制备得到。

2.根据权利要求1所述的碳化硼基复合陶瓷，其特征在于，所述碳化硼基复合陶瓷原料的体积百分比如下：碳化硼粉63‑70％、硅化锆粉27‑30％、碳化硅晶须3‑10％。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硼基复合陶瓷，其特征在于，所述碳化硼粉的纯度≥

97％，粒径为0.1μm‑7μm。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的碳化硼基复合陶瓷，其特征在于，所述硅化锆粉的纯度≥98％，粒径为0.1μm‑30μm。

5.根据权利要求1‑4任一项所述的碳化硼基复合陶瓷，其特征在于，所述碳化硅晶须的纯度≥98％，直径为0.1μm‑2μm，长度为10μm‑50μm。

6.一种如权利要求1‑5任一项所述的碳化硼基复合陶瓷的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)将碳化硼粉和硅化锆粉进行球磨10‑15h；(2)将碳化硅晶须加入并继续球磨

20‑40min，干燥，得混合粉末；(3)将混合粉末进行放电等离子烧结，在30‑50MPa、1550‑1650℃下，保温10‑15min，即得碳化硼基复合陶瓷。

7.根据权利要求6所述的碳化硼基复合陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，以无水乙醇作为球磨介质，球磨转速为200‑400r/min；步骤(2)中，球磨前，先将碳化硅晶须在乙醇溶剂中超声分散0.5‑1h，球磨转速为50‑70r/min。

8.根据权利要求6或7所述的碳化硼基复合陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述干燥方式选自真空干燥、常压干燥、喷雾干燥中的一种；优选地，采用真空干燥，于40‑

60℃干燥10‑16h。

9.根据权利要求6‑8任一项所述的碳化硼基复合陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，混合粉末以50‑100℃/min的升温速率，升温至烧结温度。

10.根据权利要求6‑9任一项所述的碳化硼基复合陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，烧结保温完成后以30‑50MPa/min的速率降压至0MPa。