1.一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底的面设置有沟槽，所述沟槽具有底壁和侧壁，所述底壁与侧壁的转角处设置圆角；在所述沟槽表面覆盖有随形的介电层，在所述介电层表面覆盖有随形的欧姆接触层，在所述漂移层的背离衬底的面上设置有肖特基栅；其中，所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3，所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3。

2.如权利要求1所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述圆角半径R≥0.4μm。

3.如权利要求2所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述圆角半径R为0.2‑1.4μm。

4.如上述任一项权利要求所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：相邻沟槽顶部的漂移层的宽度为台面宽度W，所述台面宽度W为1‑4μm。

5.如权利要求4所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述台面宽度为1‑2μm。

6.如上述任一项权利要求1或2所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述沟道底壁未设置圆角的平面长度为横板长度，所述横板长度K为0.2‑4μm。

7.权利要求6所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述横板长度K为0.8‑0.9μm。

8.如上述任一项权利要求所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述欧姆接触层的材质为Ti/Au。

9.如上述任一项权利要求所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述介电层材料为Al2O3，沟道底部的W＝1μm，K＝0.8‑0.9μm，R＝0.9μm。

10.如上述任一项权利要求所述的Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于：所述介电层材料为Al2O3，沟道底部的W＝2μm，K＝0.8‑0.9μm，R＝0.9μm。