1.一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器，其特征在于：从下至上依次包括衬底，底电极，MoSe2‑PMMA复合薄膜和顶电极，所述衬底为玻璃衬底，所述底电极为Ag，所述顶电极为Cu。

2.根据权利要求1所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器，其特征在于：所述底电极的厚度为100 300nm。

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3.根据权利要求1所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器，其特征在于：所述顶电极的厚度为100 300nm，直径250μm。

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4.一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：依次包括以下步骤：

步骤一：将硒粉加入到水合肼中搅拌至血红色，取钼酸钠溶解在去离子水中，将上述两种溶液混合后装进反应釜内；

步骤二：维持反应釜温度180 210℃，进行水热反应36 56h；

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步骤三：反应结束后，将产物用氢氧化钠、乙醇、去离子水分别清洗，然后恒温80℃烘干，得到产物MoSe2；

步骤四：称取步骤三制得的1~2 g MoSe2加入10~20 ml的N‑N二甲基甲酰胺中，采用超声法制备MoSe2悬浮液；

步骤五：采用真空蒸发镀膜法在清洗后的玻璃衬底上蒸镀厚度为100 300nm的Ag底电~

极；

步骤六：将步骤四制得的MoSe2悬浮液采用真空抽滤法在底电极上制备MoSe2薄膜, 并采用旋转涂胶法在MoSe2薄膜表面旋涂一层PMMA；

步骤七：在PMMA薄膜上表面真空蒸镀直径250μm、厚度100 300nm的Cu作为顶电极。

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5.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤一中，所述硒粉与钼酸钠的摩尔比为1:1，水合肼和去离子水的体积比为1:1。

6.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤四中，所述超声法的时间为1 4h，超声功率为150 250 W。

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7.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：‑4 

步骤五中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1 2Å/s、本底真空小于5´10 Pa、蒸镀~

功率为130 160 w。

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8.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤六中，所述MoSe2悬浮液体积为0.5~3ml，所述旋转涂胶法的转速为4000 rpm ~ 

8000 rpm，旋涂时间为60  120 s。

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9.根据权利要求4所述的一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法，其特征在于：‑4 

步骤七中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1 2Å/s、本底真空小于5´10 Pa、蒸镀~

功率为160 190 W。

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