1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，从下至上包括以下结构：1)盐酸雾化AZO导电玻璃衬底；2)N型SnO2电子传输层；3)CH3NH3PbI3吸光层；4)P型Sprio‑OMeTAD空穴传输层；5)金电极或银电极层；所述N型SnO2电子传输层厚度为40～50nm，所述CH3NH3PbI3吸光层厚度为400～500nm，所述P型Sprio‑OMeTAD空穴传输层厚度为200～300nm，所述金电极或银电极层厚度为80～120nm。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述AZO导电玻璃的方块电阻10～15Ω，透过率在70％～80％之间。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，CH3NH3PbI3吸光层、Sprio‑OMeTAD空穴传输层均采用旋涂的方法得到；金电极或银电极层采用蒸镀的方法得到。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)盐酸雾化AZO导电玻璃衬底：将pH值为4～5的盐酸喷洒或涂抹到AZO导电玻璃衬底上，然后用水冲洗；

(2)制备N型SnO2电子传输层：称取二氧化锡墨水1～2mL，稀释至体积为3％，搅拌均匀，制备得到SnO2前驱液，在步骤(1)的盐酸雾化AZO导电玻璃衬底上旋涂SnO2前驱液，退火；

(3)制备CH3NH3PbI3吸光层：分别称取等摩尔比的CH3NH3I和PbI2，溶于N，N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中，搅拌至完全溶解，在N型SnO2电子传输层表面旋涂上述溶液，退火；

(4)制备P型Sprio‑OMeTAD空穴传输层；

(5)热蒸镀沉积金电极或银电极层。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)的雾化时间为1～7s。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)的雾化时间为1s、3s、5s或7s。

7.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)旋涂N型SnO2电子传输层转速为2000～3000rpm，时间为25～30s，退火温度为170～200℃，时间为25～30min。

8.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中N，N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中二者的体积比为4：1。