1.一种补偿负电容晶体管内部栅电势损失的方法，其特征在于：

在N型负电容晶体管制作过程中，增加一道P型离子的沟道注入步骤，具体是在完成N型负电容晶体管的金属栅极TiN材料积淀工艺之后，进行轻掺杂漏离子注入工艺之前，在靠近漏端的沟道区域额外注入一定浓度的P型离子，以提高漏极与沟道交界处的P型掺杂离子的局部掺杂浓度；

其中注入P型离子区域长度不超过总栅长的25%，注入P型离子浓度比衬底掺杂浓度高一个量级；注入P型离子区域的掺杂面服从高斯分布，由靠近沟道上表面与漏端交接处为最高掺杂浓度为中心，以90度扇形逐步向外降低掺杂浓度，直到最外层掺杂与衬底接近。

2.根据权利要求1所述的一种补偿负电容晶体管内部栅电势损失的方法，其特征在于：P型离子注入深度不超过LDD的结深。