1.氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于，包括以下步骤：

1、氮化硅前驱体制备

1.1、向反应容器中加入溶剂和四氯化硅，控制容器中的温度为－25～‑35℃，容器内的压强为当前温度氨气刚开始液化的值；

1.2、向溶剂中融入液氨，并减小容器中的压强，使得液氨气化沸腾，扰动整个反应体系，获得氮化硅前驱体；

1.3、将氨气收集加压液化，再次通入溶剂中，实现氨气循环；

2、前驱体焙烧

2.1、将获得氮化硅前驱体进行灼烧，灼烧产生的气体收集净化处理；

2.2、灼烧后的氮化硅前驱体进行破碎处理；

2.3、破碎后的氮化硅前驱体进行焙烧处理，获得氮化硅粉体。

2.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述溶剂的种类为二氯乙烷、己烷，且两者摩尔质量配比任意，所述溶剂和四氯化硅之间的摩尔配比任意。

3.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述液氨通入的速度为1～5L/min，所述液氨气化速度为0.8～4.5L/min。

4.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述灼烧温度控制为120～180℃，时间为30min。

5.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述焙烧温度控制为800～1200℃，时间为60min。

6.根据权利要求1所述的氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，其特征在于：所述灼烧和焙烧均通入保护气体，所述保护气体为氮气、氦气或氩气中的一种。