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专利号: 2021104252266
申请人: 广东工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,包括以下步骤:S10.选择柔性拉伸膜(1),所述柔性拉伸膜(1)包括自上而下顺次设置的保护膜层(11)、临时键合胶层(12)以及薄膜拉伸层(13),撕开保护膜层(11),将芯片(2)转移到临时键合胶层(12);其中,柔性拉伸膜(1)平面为XY平面;

S20.沿X方向拉伸柔性拉伸膜(1),直至X方向芯片(2)间距扩张至设定值;沿Y方向拉伸柔性拉伸膜(1),直至Y方向芯片(2)间距扩张至设定值;

S30.激光照射临时键合胶层(12),被照射处的临时键合胶失效,芯片(2)脱离临时键合胶层(12)并转移至承载基板(10),完成单种类型芯片(2)的巨量转移;

S40.重复步骤S10~S30,依次完成多种类型芯片(2)的巨量转移;

其中,步骤S20中,X方向、Y方向至少一个方向上,柔性拉伸膜(1)的拉伸扩张通过将柔性拉伸膜(1)的两端分别缠绕于第一滚筒(3)、第二滚筒(4)上及控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比或控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的距离实现;

步骤S20在进行拉伸扩张的过程中,对芯片(2)间距进行实时同步检测。

2.根据权利要求1所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,步骤S10中,所述临时键合胶层(12)选自聚烃基丙烯酸酯类、聚苯基乙烯类、聚酯类或者丙烯酸类热塑型树脂中的一种或数种,所述薄膜拉伸层(13)的材料选自PI、PE、PET、PEN、PVC、BOPP或BOPS的一种或数种。

3.根据权利要求1所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,步骤S10中,对柔性拉伸膜(1)底面进行防胶粘处理,使其与临时键合胶层(12)不会发生粘合;所述防止胶粘处理方法为涂覆不粘层,所述不粘层选自聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、过氟烷基化物、硅胶油中的一种或数种的组合。

4.根据权利要求1至3任一项所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,步骤S20中,柔性拉伸膜(1)为长带状,宽度小,Y方向可放置一个或数个芯片(2),长度长,X方向可阵列放置大量芯片(2);Y方向拉伸柔性拉伸膜(1),直至Y方向芯片(2)间距扩张至设定值;后将薄膜拉伸层(13)沿X方向分为多段,每一段薄膜拉伸层(13)的两端分别绕于第一滚筒(3)和第二滚筒(4),薄膜拉伸层(13)位于外圈,控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比或控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的距离,拉伸外圈的薄膜拉伸层(13)至X方向芯片(2)间距至设定值;第一滚筒(3)或第二滚筒(4)将拉伸扩张好的薄膜拉伸层(13)收集,并处理下一段柔性拉伸膜(1)。

5.根据权利要求4所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,当检测到X方向上芯片(2)间距不均匀时,按以下步骤对芯片(2)间距进行补偿:转动第一滚筒(3)、第二滚筒(4)至芯片(2)距离异常区域的两端,增加第一滚筒(3)、第二滚筒(4)之间的距离直至芯片(2)距离达到设定值。

6.根据权利要求4所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,当检测到X方向上芯片(2)间距不均匀时,按以下步骤对芯片(2)间距进行补偿:在芯片(2)距离异常区域的两端分别设置第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8),第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)压紧芯片(2)距离异常区域的两端,调节第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)之间的距离或调整第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)的转速差,拉伸扩张芯片(2)距离至设定值。

7.根据权利要求1至3任一项所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,步骤S20中,X方向、Y方向的拉伸扩张都通过控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比或控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的距离实现。

8.根据权利要求7所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,第一滚筒(3)为普通滚筒,第二滚筒(4)为可扩张滚筒,进行X方向和Y方向扩张时:调整第一滚筒(3)和第二滚筒(4)转向至朝同一方向转动,使得柔性拉伸膜(1)缠绕上第二滚筒(4);同时,调节第二滚筒(4)的转速使得第二滚筒(4)外径线速度高于第一滚筒(3)的外径线速度,柔性拉伸膜(1)受到拉伸;当柔性拉伸膜(1)全部绕上第二滚筒(4)后,扩张第二滚筒(4)内径至设定大小。

9.根据权利要求8所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比满足以下公式:式中,k为芯片(2)目标间距与原始间距的比值,n1为第一滚筒(3)的转速,n2为第二滚筒(4)的转速,d0为第二滚筒(4)的直径,d1为第一滚筒(3)的直径,随着缠绕的进行而不断减小,d2为第二滚筒(4)缠绕柔性拉伸膜(1)后的直径,随着缠绕圈数的增加而不断增大;L0为芯片(2)原始间距,L'为芯片(2)在第二滚筒(4)缠绕柔性拉伸膜(1)后的直径d2处的间距。

10.根据权利要求1至3任一项所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法,其特征在于,所述第一滚筒(3)和第二滚筒(4)之间设有至少两组带轮组(6),滚筒与带轮组(6)之间或相邻带轮组(6)之间的柔性拉伸膜(1)呈之字型交错排列;第一滚筒(3)、各带轮组(6)、第二滚筒(4)的外径线速度依次递增,对柔性拉伸膜(1)多次拉伸。