1.一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.将晶圆(1)上的芯片(2)转移到垂直阵列排布的线束(3)末端的抓头(4)上，线束(3)的始端固定于柔性固定板(5)；

S20.线束(3)末端的抓头(4)抓取所有芯片(2)后，向线束(3)内通入高压静电以产生局部电场，使线束(3)散开；对线束(3)外围布置的电场发生器(6)施加同种电荷高压静电，产生特定的约束电场，控制线束(3)与电场发生器(6)的相对电压调整线束(3)散开的弧度；

S30.通过视觉检测系统(7)检测线束(3)末端芯片(2)是否处于同一水平面，通过调节柔性固定板(5)的弯曲变形，修正局部芯片(2)高度至芯片(2)高度位于同一水平面；

S40.通过视觉检测系统(7)检测芯片(2)间距，当芯片(2)间距处于合适间距时，将线束(3)末端的芯片(2)对准承载基板(8)的目标焊盘(9)；当芯片(2)间距存在误差时，返回步骤S20通过控制线束(3)与电场发生器(6)的相对电压调整芯片(2)间距；

S50.芯片(2)对准承载基板(8)的目标焊盘(9)后，使芯片(2)脱离线束(3)末端的抓头(4)而转移至承载基板(8)的目标焊盘(9)上；

S60.重复步骤S10～步骤S50，依次完成多种类型的芯片(2)向同一目标承载基板(8)上的巨量转移。

2.根据权利要求1所述的静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法，其特征在于，步骤S10中，所述抓头(4)选自粘性抓头(4)、范德华力抓头(4)，静电力抓头(4)、吸附式抓头(4)中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求2所述的静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法，其特征在于，步骤S10中，通过对线束(3)末端的抓头(4)进行局部加热或激光照射，芯片(2)从抓头(4)上脱离。

4.根据权利要求1所述的静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法，其特征在于，步骤S10中，所述芯片(2)的中心点位于所述抓头(4)的中心轴线上；线束(3)在自然状态下保持竖直，在电场力作用下产生弯曲变形。

5.根据权利要求1所述的静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法，其特征在于，步骤S20中，所述线束(3)不同高度位置设有多个电场发生器(6)，对线束(3)形成多级约束；对不同高度的电场发生器(6)施加不同强度的高压静电，控制不同高度线束(3)的弯曲弧度。

6.根据权利要求1至5任一项所述的静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法，其特征在于，步骤S30中，以柔性固定板(5)的中心点为受力点，向远离线束(3)的方向施加作用力使得柔性固定板(5)发生弯曲变形。

7.一种静电场控制的芯片巨量阵列扩张和转移系统，其特征在于，包括若干自然状态下竖直阵列排布的线束(3)，所述线束(3)的一端固定于柔性固定板(5)，线束(3)的末端连接有用于抓取芯片(2)的抓头(4)，所述线束(3)、柔性固定板(5)为导电结构，所述柔性固定板(5)的两端分别连接有第一正电极(10)和第一负电极(11)，所述抓头(4)位于承载基板(8)的上方；所述线束(3)的外围布置有电场发生器(6)，所述线束(3)末端的一侧设有用于检测芯片(2)间距的视觉检测系统(7)。

8.根据权利要求7所述的静电场控制的芯片巨量阵列扩张和转移系统，其特征在于，所述抓头(4)的末端涂有在不同温度下具有不同粘性的临时键合胶。

9.根据权利要求7所述的静电场控制的芯片巨量阵列扩张和转移系统，其特征在于，所述电场发生器(6)为多组，多组电场发生器(6)自上而下竖直阵列排布。

10.根据权利要求9所述的静电场控制的芯片巨量阵列扩张和转移系统，其特征在于，所述电场发生器(6)包括回字形导体、缠绕于回字形导体的导线、以及连接于导线两端的第二正电极(12)和第二负电极(13)。