1.一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，包括电容扫描探头(1)，光纤电场传感器(2)，光纤传感器解调仪(4)，计算机(3)；所述电容扫描探头(1)的两端口输出与光纤电场传感器(2)的敏感材料两极相连，所述光纤电场传感器(2)的光纤接口(5)与光纤传感器解调仪(4)上的通道相连，所述光纤传感器解调仪(4)的通信接口端与计算机(3)的输入端口相连；所述光纤电场传感器(2)包括亚克力管(8)以及压电陶瓷片(9)；

所述亚克力管(8)内设置有塑胶板(7)，所述亚克力管(8)的一端设置有压电陶瓷片(9)；所述塑胶板(7)上固定有同亚克力管(8)轴向布置的沿陶瓷插针(6)，所述压电陶瓷片(9)与陶瓷插针(6)呈垂直设置，所述陶瓷插针(6)端口与光纤接口(5)相连，所述压电陶瓷片(9)两面镀有电极，两个电极通过传输导线(10)分别与电容扫描探头(1)相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述光纤电场传感器(2)的外层由亚克力板拼接而成，整体长度为28mm，其截面为规则的矩形，长宽为20×15mm，形成内部空腔的亚克力管(8)。

3.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述塑胶板(7)的长宽略小于亚克力管(8)内部横截面的尺寸，保证塑胶板(7)能够置于亚克力管内部。

4.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述陶瓷插针(6)的端部与亚克力管(8)的末端之间留有缝隙。

5.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述电容扫描探头(1)内部主要由体积较小的贴片电容和固定导线组成，电容扫描探头使用型号为01005的小型贴片电容，电容为0.1pF，用于检测芯片表面微小的电位变化，电容扫描探头(1)的端部面积为0.5mm2。

6.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述陶瓷插针(6)穿过塑胶板(7)的中心位置，塑胶板(7)与压电陶瓷片(9)平行放置。

7.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述压电陶瓷片(9)大小为20×15mm。

8.根据权利要求1所述的一种基于F‑P干涉原理的芯片封装静电测量传感器，其特征在于，所述光纤采用了单模光纤，其光纤接口类型为FC/APC。