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专利号: 2021104759285
申请人: 三河同飞制冷股份有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-02-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种大功率半导体元器件的冷却板,其结构包括箱体(1)、箱门(2)、溅射机构(3)、冷却装置(4),所述箱体(1)与箱门(2)铰链连接,所述溅射机构(3)设于箱体(1)内部上端,所述箱体(1)内部底端设有冷却装置(4),其特征在于:所述冷却装置(4)由散热机构(41)、绝缘板(42)、卡合固定块(43)、散热保护机构(44)组成,所述散热机构(41)底部与绝缘板(42)顶端间隙配合,所述绝缘板(42)与卡合固定块(43)机械连接,所述卡合固定块(43)两侧与散热保护机构(44)活动卡合连接。

2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体元器件的冷却板,其特征在于:所述散热机构(41)由水管流道机构(11)、挡板卡合块(12)、冷却板机构(13)组成,所述水管流道机构(11)设于冷却板机构(13)内部,所述冷却板机构(13)两侧与挡板卡合块(12)螺栓连接。

3.根据权利要求2所述的一种大功率半导体元器件的冷却板,其特征在于:所述冷却板机构(13)由冷却板上板(3a)、支撑板(3b)、冷却板下板(3c)、水管限位块(3d)组成,所述支撑板(3b)上端与冷却板上板(3a)背面前后端焊接连接,所述支撑板(3b)顶端与冷却板下板(3c)正面螺栓连接,所述水管限位块(3d)设于冷却板上板(3a)背面下方,所述冷却板下板(3c)底端中部与挡板卡合块(12)焊接连接。

4.根据权利要求2所述的一种大功率半导体元器件的冷却板,其特征在于:所述水管流道机构(11)由水管固定板(1a)、导热间隔块(1b)、导流管(1c)组成,所述导流管(1c)与水管固定板(1a)背面卡合连接,所述导热间隔块(1b)设于导流管(1c)间隔中部,所述水管固定板(1a)两侧与挡板卡合块(12)螺栓连接。

5.根据权利要求1所述的一种大功率半导体元器件的冷却板,其特征在于:所述散热保护机构(44)由散热片(4x)、辅助轮(4y)、导流板机构(4z)组成,所述辅助轮(4y)底端与散热片(4x)底板焊接连接,所述辅助轮(4y)设于导流板机构(4z)两侧卡合槽内,所述导流板机构(4z)与散热片(4x)机械连接,所述导流板机构(4z)两侧卡合槽与卡合固定块(43)活动卡合连接。

6.根据权利要求5所述的一种大功率半导体元器件的冷却板,其特征在于:所述导流板机构(4z)由衔接板(z1)、透气孔(z2)、排水孔(z3)、壳体(z4)组成,所述衔接板(z1)与壳体(z4)底端两侧焊接连接,所述透气孔(z2)底部与壳体(z4)焊接连接,所述排水孔(z3)设于壳体(z4)底端两侧,所述衔接板(z1)与散热片(4x)机械连接。