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专利号: 2021104952780
申请人: 河南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1. 一种镱和铒共掺杂的钙钛矿薄膜,其特征在于,通过下述过程获得:(1)制备溶液A

将BAI、FAI和PbI2按照摩尔比2:1:2溶于DMF中,室温下搅拌5h~7h后,静置至少2h后得到溶液A;

(2)制备溶液B

将Yb2O3粉末溶于水,加热至90~110℃,加入浓HCl溶液至溶液变澄清,145~155℃蒸干得到YbCl3粉末,将YbCl3粉末溶于水得到YbCl3的水溶液B;

(3)制备溶液C

将Er2O3粉末溶于水,加热至90~110℃,加入浓HCl溶液至溶液变澄清,145~155℃蒸干得到ErCl3粉末,将ErCl3粉末溶于水得到ErCl3的水溶液C;

(4)制备溶液D

将等体积的B溶液与C溶液加入A溶液中搅拌3 5h得到溶液D;

~

(5)结晶

将单面氧化的硅片117 123℃预热15 25min,将溶液D滴在硅片上,旋涂,旋涂后的薄膜~ ~置于117~123℃烘干15~25min,即得到镱和铒共掺杂的BA2FAPb2I7薄膜。

2.根据权利要求1所述镱和铒共掺杂的钙钛矿薄膜,其特征在于,步骤(4)中,Yb的掺杂量为BA2FAPb2I7摩尔数的5~15%,Er的掺杂量为BA2FAPb2I7摩尔数的0.5~1.5%,且Yb和Er摩尔比为10:1。

3.根据权利要求1所述镱和铒共掺杂的钙钛矿薄膜,其特征在于,步骤(1)中每

0.1mmolFAI需要溶于1mLDMF中,步骤(2)水溶液B中YbCl3浓度为1mmol/ml,步骤(3)水溶液C中ErCl3浓度为0.1mmol/ml。

4.利用权利要求1至3任一所述的镱和铒共掺杂的钙钛矿薄膜在光电探测器中的应用。

5. 根据权利要求4所述的应用,其特征在于,过程如下:将镱和铒共掺杂的钙钛矿薄‑5膜,放在高真空电阻蒸发镀膜机上蒸镀叉指电极,镀膜机工作时真空室压强为5×10  Pa,Au电极厚度80 nm,Au电极之间宽度为100μm。