1.一种忆阻器读写方法，其特征在于，至少设置写入单元和读取单元，其中，向忆阻器写入信息时，接通写入单元形成写入回路，所述写入单元在忆阻器两端产生正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻态或低阻态；

读取忆阻器状态时，接通读取单元形成读取回路，所述读取单元在忆阻器的一端产生激励信号，并在忆阻器的另一端读取输出状态以此获取忆阻器的状态。

2.根据权利要求1所述的忆阻器读写方法，其特征在于，所述读取单元至少包括第一电阻R1、激励模块和状态获取模块，其中，激励模块与忆阻器的一端相连接，用于向忆阻器输出电压信号；忆阻器的另一端与第一电阻R1的一端相连接作为状态输出端，第一电阻R1的另一端接地；状态获取模块与状态输出端相连接，用于获取状态输出端的电压状态并以此获取忆阻器的状态。

3.根据权利要求2所述的忆阻器读写方法，其特征在于，所述状态获取模块采用比较器实现，比较器的两个输入端分别与忆阻器的两端相连接，比较器的输出为忆阻器的状态。

4.根据权利要求3所述的忆阻器读写方法，其特征在于，第一电阻R1的阻值介于忆阻器高阻态和低阻态之间。

5.根据权利要求4所述的忆阻器读写方法，其特征在于，忆阻器高阻态时阻值为100KΩ，其低阻态时阻值为100Ω，第一电阻R1的阻值为1KΩ至10KΩ之间。

6.根据权利要求2所述的忆阻器读写方法，其特征在于，写入单元采用MOS逻辑电路实现。

7.根据权利要求6所述的忆阻器读写方法，其特征在于，所述写入单元至少包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5，其中，第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3为NMOS晶体管，第四MOS管M4、第五MOS管M5为PMOS晶体管，第一MOS管M1的栅极与第二MOS管M2的栅极以及第四MOS管M4的栅极相连接作为第一控制端，第一MOS管M1的漏极与第二MOS管M2的漏极以及第四MOS管M4的漏极相连接；第一MOS管M1的源极与第三MOS管M3的漏极以及第五MOS管M5的漏极相连接；第三MOS管M3的栅极与第五MOS管M5的栅极以及忆阻器的一端相连接作为第二控制端，第二MOS管M2的源极与忆阻器的另一端相连接；第四MOS管M4的源极和第五MOS管M5的源极与电源端相连接，第三MOS管M3的源极接地。

8.根据权利要求7所述的忆阻器读写方法，其特征在于，当第一控制端为高电平时，根据第二控制端的电平状态执行忆阻器高阻态或低阻态的写入。

9.根据权利要求7所述的忆阻器读写方法，其特征在于，利用写入单元执行异或逻辑功能，其中，第一控制端和第二控制端作为输入端，第二MOS管M2的源极与忆阻器的另一端相连接作为输出端。

10.根据权利要求9所述的忆阻器读写方法，其特征在于，通过读取单元读取忆阻器状态，使异或逻辑功能具有第二逻辑输出。