1.一种铜箔，其特征在于，所述铜箔具有至少一个具有米粒状瘤点的粗糙表面；其中，所述米粒状瘤点的长短轴尺寸比值≥1.7，所述铜箔的粗糙表面的表面粗糙值Rz≥2μm，Ra≤0.4μm，所述铜箔的粗糙表面与热固性树脂之间的剥离强度≥0.8N/mm。

2.根据权利要求1所述的铜箔，其中，所述米粒状瘤点的长短轴尺寸比值为1.5‑2.5，优选为1.7‑2.2；

所述铜箔的粗糙表面的表面粗糙值Rz为2.1‑3μm，优选为2.3‑2.8μm；表面粗糙值Ra为

0.2‑0.4μm，优选为0.28‑0.37μm；

所述铜箔的粗糙表面与热固性树脂之间的剥离强度为0.8‑1.8N/mm，优选为0.95‑

1.5N/mm。

3.根据权利要求1或2所述的铜箔，其中，所述米粒状瘤点之间的间隔为0.08‑0.25μm，优选为0.1‑0.2μm。

4.一种铜箔产品的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将原料铜箔在一次处理配液中进行第一次表面处理，得到一次处理铜箔；其中，基于所述一次处理配液的总量，所述一次处理配液包括铜离子2‑40g/L，硫酸50‑300g/L，硫酸铋30‑400ppm，钨酸钠5‑250ppm，稀土盐20‑400ppm；

(2)将所述一次处理铜箔在二次处理配液中进行第二次表面处理，得到铜箔产品；其中，基于所述二次处理配液的总量，所述二次处理配液包括铜离子20‑80g/L，硫酸50‑200g/L，氯离子50‑400ppm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述稀土盐为稀土硫酸盐，所述稀土硫酸盐选自硫酸镧、硫酸铈、硫酸铽、硫酸钇中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其中，所述第一次表面处理的条件包括：第一次

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表面处理的极限电流密度为10‑50A/dm ，优选为20‑40A/dm ；第一次表面处理的处理温度为

10‑40℃，优选为15‑30℃；第一次表面处理的处理时间为1‑8s，优选为1‑5s。

7.根据权利要求4‑6中任意一项所述的制备方法，其中，所述一次处理铜箔的至少一个表面上，具有垂直于铜箔表面的竖直细长晶须。

8.根据权利要求4‑7中任意一项所述的制备方法，其中，第二次表面处理的稳态电流密

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度为2‑40A/dm ，优选为10‑30A/dm ；第二次表面处理的处理温度为10‑40℃，优选为15‑30℃；第二次表面处理的处理时间为1‑8s，优选为1‑5s。

9.根据权利要求4‑8中任意一项所述的制备方法，其中，所述铜箔产品的至少一个表面上具有米粒状瘤点。

10.权利要求1‑3中任意一项所述的铜箔或由权利要求4‑9中任意一项所述方法所制备的铜箔产品在印制电路板中的应用。