1.一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、电极B三种材料依次叠置而成的三层膜结构或三层板结构，介电体中间具有一个贯通上下材料层的真空通道，电极A上具有与介电体的真空通道相互连通的孔洞，其特征在于：电极A是为功函数较低的金属材质，电极A上方还具有功函数较高的金属材质的金属盖板层，电极B为重掺杂的半导体材质；使用时，电极A或者金属盖板连接直流电源的一极，电极B连接直流电源的另一极。

2.如权利要求1所述的一种半导体真空二极管，其特征在于：电极B为重掺杂的P型半导体材质时，电极A连接直流电源的负极，电极B连接直流电源的正极；电极B为重掺杂的N型半导体材质时，电极A连接直流电源的正极，电极B连接直流电源的负极。

3.如权利要求1或2所述的一种半导体真空二极管，其特征在于：电极A的孔洞直径小于介电体真空通道直径。

4.如权利要求1或2所述的一种半导体真空二极管，其特征在于：电极A为金属锂或金属镁材质；金属盖板是金、铜镀金、银、铜镀银、镍或铜镀镍的材质，或者是石墨烯的材质。