1.一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，其特征在于：依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长，所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中，置于晶体生长炉中，所述晶体生长炉包含高温区、梯度区和低温区三个区间，生长炉中高温区温度控制为710 750℃，低温区控制为400 420℃，梯度区长度约为15cm，最大温~ ~

度梯度控制在20 24℃/cm，结晶界面附近温度梯度为8 15℃/cm。

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2.如权利要求1所述的一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，其特征在于：所述硒化锑多晶原料的合成是将锑粒和硒粉混合后置于石英管中进行烘烤，然后加热至550 800~

℃，保温6 12h，冷却至室温，得硒化锑多晶锭。

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3.如权利要求1或2所述的一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，其特征在于：所述锑粒和硒粉的质量比为1:1.02 1.05。

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4.如权利要求2或3所述的一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，其特征在于：所述多晶锭研磨后置于石英安瓿中进行烘烤，然后将石英安瓿置于晶体生长炉中，石英安瓿下降前，尖端温度为650 660℃，顶部温度为710 720℃，保温12h后，石英安瓿以1.5 5 mm/~ ~ ~

day速率下降，直至石英安瓿整体通过结晶界面（固液界面），然后停止下降，完成单晶生长。

5.如权利要求4所述的一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，其特征在于：当石英安瓿停止下降后，以1 3℃/min的速率调整高温区温度降至420 425℃，然后关闭设备，冷却~ ~

后取出晶体。

6.一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：步骤一：硒化锑多晶原料合成将锑粒和硒粉按照1:1.02 1:1.05比例进行混合后倒入石英管，边抽真空边烘烤，且当‑3 ~

气压低于10 Pa以下时进行密封，然后将密封后的石英管放入管式炉，加热至550‑800℃并保温6 12小时，降温冷却至室温后，得多晶锭；

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步骤二：硒化锑单晶体的生长将多晶锭研磨成200‑400目粗细，倒入带尖端的石英安瓿中，边抽真空边在40‑80℃下‑3

进行烘烤30min以上，且当气压低于3×10 Pa以下时进行密封，将石英安瓿悬挂于垂直布里奇曼晶体生长炉中，该生长炉包含高温区、梯度区和低温区三个区间，高温区的温度控制为

710 750℃，低温区控制为400 420℃，梯度区长度约为15cm，最大温度梯度控制在20 24℃/~ ~ ~

cm，结晶界面附近温度梯度为8 15℃/cm；石英安瓿下降前，尖端温度为650 660℃，顶部温~ ~

度为710 720℃，保温12h后，石英安瓿以1.5 5 mm/day速率下降，直至石英安瓿整体通过结~ ~

晶界面，然后停止下降，完成单晶生长，再然后控制高温区温度，以1 3℃/min的速率降至~

420 425℃，然后关闭设备，冷却后取出晶体。

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