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专利号: 2021105240069
申请人: 三峡大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕
更新日期:2024-08-27
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极的制备方法,其特征在于,所述的原位电极为硫化钴纳米棒与二硫化钼、氮掺杂碳的复合电极,具体制备方法为:(1)将氯化钴、钼酸钠以及尿素溶于去离子水中,加入碳纸后进行水热反应,得到的产物经冷却后冲洗干燥,获得生长在碳纸上的纳米棒状钴钼前驱体阵列;

(2)将生长在碳纸上的纳米棒状钴钼前驱体阵列于空气气氛中预氧化,获得氧化钴钼纳米颗粒;

(3)将氮/碳源溶于挥发非水溶剂中,并涂布到氧化钴钼纳米颗粒表面,干燥待用;

(4)再将第(3)步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,进行气相硫化,随炉冷却取出即可得到硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极。

2.权利要求1所述的硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)中水热反应过程中反应温度为100‑120℃,反应时间为2‑3 h。

3.权利要求1所述的硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(2)中预氧化过程的反应温度为400 500℃,反应时间为0.5 1 h。

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4.权利要求1所述的硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述氮/碳源,包括:无水葡萄糖和菲罗啉的混合物、掺N碳量子点、或双氰胺。

5.权利要求1所述的硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的挥发非水溶剂为乙醇、或N, N‑二甲基甲酰胺。

6.权利要求1所述的硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(4)中气相硫化过程,反应温度为600 700℃,反应时间为1 2 h。

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7.权利要求1‑6任一项所述制备得到的硫化钴‑硫化钼‑氮掺杂碳复合电极在电催化电解水上的应用。