1.一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管为空穴雪崩光电二极管，包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层，n型半导体吸收层连接有n型电极，p型半导体载流子收集层连接有p型电极，所述雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到大小为价带带阶值的能量后的空穴能量等于空穴离化阈值能量，电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去大小为导带带阶值后的电子能量小于电子离化阈值能量。

2.如权利要求1所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述n型半导体吸收层采用x沿远离雪崩层方向逐渐增大的GaAs1‑xSbx或采用y沿远离雪崩层方向逐渐增大的InyGa1‑yAs，0＜x＜1，0＜y＜1。

3.如权利要求2所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述n型半导体吸收层包括多个顺次设置的GaAs1‑xSbx层，不同GaAs1‑xSbx层之间的x值不同，或者所述n型半导体吸收层包括多个顺次设置的InyGa1‑yAs层，不同InyGa1‑yAs层之间的y值不同。

4.如权利要求2所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述x为0.8＜x＜1。

5.如权利要求1所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述II型多量子阱材料为GaAs1‑zSbz/Ga1‑mInmSb，0＜z＜1，0＜m＜1。

6.如权利要求5所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述GaAs1‑zSbz的厚度为10‑50nm，Ga1‑mInmSb的厚度为10‑50nm。

7.如权利要求5所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述m的范围为0＜m＜0.3，z的范围为0＜z＜0.6。

8.如权利要求1所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述多异质结的材料为p‑GaAs/n‑GaAs/p‑GaSb/n‑GaSb。

9.如权利要求1所述的一种量子阱雪崩光电二极管，其特征在于，所述p型半导体载流子收集层采用的材料为GaAs或GaSb。