1.一种高响应度的雪崩光电二极管结构，其特征在于，所述雪崩光电二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；

所述窄带隙插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby，x为固定值且0＜x＜1，0＜y＜1，吸收层的Sb组分由下至上线性递增，窄带隙插入层的Sb组分大于吸收层Sb组分的最小值；

或者；

所述窄带隙插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs，i为固定值且0＜i＜1，0＜j＜1，吸收层的In组分由下至上线性递增，窄带隙插入层的In组分大于吸收层In组分的最小值。

2.如权利要求1所述的一种高响应度的雪崩光电二极管结构，其特征在于，所述雪崩光电二极管结构还包括连接GaAs倍增层的正电极和连接吸收层的负电极。

3.如权利要求1所述的一种高响应度的雪崩光电二极管结构，其特征在于，所述插入层的高度为80nm，吸收层的高度为300nm。

4.如权利要求1所述的一种高响应度的雪崩二极管结构，其特征在于，在所述插入层中形成了空穴势阱，在插入层与GaAs倍增层界面处形成了空穴势垒。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的一种高响应度的雪崩光电二极管结构的制备方法，其特征在于，所述窄带隙插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上生长所述GaAs倍增层，在GaAs倍增层的生长过程中，温度保持在620℃，V/III束流比为25；在GaAs倍增层上生长窄带隙插入层，在窄带隙插入层的生长过程中Sb/Ga束流比为5；在窄带隙插入层上生长吸收层，生长吸收层时，Sb/Ga束流比从0到

5线性增加，吸收层生长结束后保持Sb束流源开启直至降温完成。

6.如权利要求5所述的一种高响应度的雪崩光电二极管结构的制备方法，其特征在于，所述GaAs倍增层的生长时间为10min，插入层的生长时间为1min，吸收层的生长时间为

10min。