1.一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、配置混合溶液：在室温环境下通过将等摩尔比的硫酸铜溶液和硫代硫酸钠溶液按照1:2.6‑3.0体积比例混合，得到一个亮绿色的pH值为6.1‑6.5的混合溶液，然后把混合溶液倒入放有下电极基底片的容器中；b、室温静止放置：将步骤a的混合溶液在室温下静止放置数天，然后从混合溶液中取出放入的下电极基底片，即在下电极基底片上沉积出硫化铜薄膜；c、烘干：将下电极基底片取出、烘干；d、上电极制备：将银胶滴涂于烘干好的硫化铜薄膜表面作为上电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。2.根据权利要求1所述的一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤a的容器为玻璃制烧杯，下电极基底片为钛片或铌片。3.根据权利要求1所述的一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤b的室温静止放置时间为5‑7天，所得薄膜厚度为5‑10微米。4.根据权利要求1所述的一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤c的烘干的温度为60℃，时间为8h，工作方式为肖特基和Poole‑Frenkel发射的协同作用。