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专利号: 2021105451939
申请人: 西华大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种均匀晶锭溶质的方法,其特征在于,包括:进行多根原料锭的区域熔炼,每根区域熔炼后的晶锭将最后一个熔区凝固后的部分晶锭截下,作为下一根区域熔炼的原料锭的一部分,并作为下一次区域熔炼的起始部分进行区域熔炼,如此循环。

2.根据权利要求1所述的均匀晶锭溶质的方法,其特征在于,每根区域熔炼后的晶锭将最后一个熔区凝固后的部分晶锭截下,作为下一根区域熔炼的原料锭的一部分,其操作为:将区域熔炼后截取下的晶锭置于容器的一端,然后在容器中装入制备原料锭的原料,加热使所述原料熔融,并保持区域熔炼截取下的晶锭不熔化,熔融的原料冷却凝固后,使区域熔炼截取下的晶锭与凝固后的原料连接形成一体,得到下一次区域熔炼的原料锭;

优选地,所述容器为坩埚;更优选地,所述坩埚为透明坩埚。

3.根据权利要求1所述的均匀晶锭溶质的方法,其特征在于,所述原料锭的化学组分为Bi2Te2.7Se0.3,区域熔炼为垂直区域熔炼。

4.根据权利要求3所述的均匀晶锭溶质的方法,其特征在于,熔区长度为晶锭直径的

2.5~4.0倍,熔区温度为620~640℃,熔区的移动速度为25~30mm/h。

5.一种成分均匀的晶锭的制备方法,其特征在于,包括:按照如权利要求1~4任一项所述的均匀晶锭溶质的方法处理原料锭。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,还包括制备所述原料锭:将制备原料锭的原料在真空条件下完全熔化,然后降温冷却。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,将制备原料锭的原料在真空条件下完全熔化是将Bi2Te2.7Se0.3原料置于坩埚中,将坩埚置于晶体生长炉中,升高晶体生长炉的温度至630℃,保温100~150min。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述坩埚的底部结构为弧面结构。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述坩埚的底部呈半球形。

10.一种合金晶锭,其特征在于,采用如权利要求5~9任一项所述的制备方法制得。