1.一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料，其特征在于，所述薄膜材料的化学表达式为YxSb(1‑x)，其中x为原子百分比，且0.01

2.如权利要求1所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料，其特征在于，所述薄膜材料的化学表达式为Y0.492Sb0.508。

3.权利要求1所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述相变存储薄膜材料是通过物理气相沉积或化学气相沉积制备获得的。

4.权利要求1所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将高纯度Y金属与Sb金属作为溅射靶材，采用射频磁控溅射法进行单靶共溅射，所述单靶共溅射在高真空度、高纯度氩气、室温环境下进行，所述靶材通过单靶共溅射在衬底材料上进行表面沉积，即可形成均质非晶态的所述Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料。

5.权利要求4所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述靶材Sb金属为已去除表面氧化膜的Sb圆块形金属靶材，所述靶材Y金属为Y片状金属靶材。

6.权利要求4所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，‑4

所述真空度至少为1*10 Pa。

7.权利要求4所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述衬底材料纯度至少为5N；所述靶材Y金属和所述靶材Sb金属的原子百分比纯度至少为

5N。

8.权利要求4所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述氩气的体积百分数至少为5N，所述氩气气体流量为25～35sccm，所述溅射气压为0.2～

0.45Pa。

9.权利要求8所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述氩气气体流量为30sccm，所述溅射气压为0.4Pa，所述靶材Sb金属的溅射速率为

2.479s/nm。

10.权利要求1‑2中任意一项权利要求所述的一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料在相变存储器中的应用，其特征在于，所述Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料可作为电存储器的相变存储介质。