1.一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述Ag/[SnS2/PMMA]/Cu阻变存储器包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极；所述的衬底为玻璃衬底；所述的底电极为Ag，电极的厚度为100～300nm；顶电极为Cu，电极的厚度为100～300nm，直径250μm；所述的阻变层材料为SnS2/PMMA复合薄膜；

所述的方法步骤为：

1)将硫代乙酰胺、五水四氯化锡溶解在去离子水中，滴加冰乙酸，搅拌均匀直至形成透明溶液后放入反应釜内；

2)维持反应釜温度150～200℃，进行水热反应6～24h；

3)反应结束后自然冷却至室温，用去离子水和无水乙醇反复超声洗涤3‑5次后离心，将样品在80℃的真空条件下烘干，即可得到SnS2纳米片；

4)称取步骤3)制得的1～2g SnS2加入10～100mL的N‑N二甲基甲酰胺中，采用超声法制备SnS2悬浮液；

5)采用真空蒸发镀膜法在玻璃衬底上蒸镀厚度为100～300nm的Ag底电极；

6)将步骤4)制得的SnS2悬浮液采用真空抽滤法在底电极上制备SnS2薄膜，并采用旋转涂胶法在SnS2薄膜表面旋涂一层PMMA；

7)在PMMA薄膜上表面真空蒸镀直径250μm、厚度100～300nm的Cu作为顶电极。

2.根据权利要求1所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤1)中五水四氯化锡与硫代乙酰胺的摩尔比为1:2.5，去离子水体积为50～

150mL，冰乙酸体积为1～10mL。

3.根据权利要求1或2所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤4)中超声法的时间为1～4h，超声功率为150～250W。

4.根据权利要求3所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特‑征在于：步骤5)中真空蒸发镀膜法的条件为：蒸镀速率为 本底真空小于5×104

Pa、蒸镀功率为130～160W。

5.根据权利要求4所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤6)中SnS2悬浮液体积为0.5～3mL，旋转涂胶法的转速为4000～8000rpm，旋涂时间为60～120s。

6.根据权利要求5所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特‑4征在于：步骤7)中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为 本底真空小于5×10 Pa、蒸镀功率为160～190W。