1.一种晶体振荡器的负载电容计算系统，其特征在于，包含：一数据库，储存有一指定晶体电容负载对照表、一芯片引脚电容对照表、一电路板布线电容对照表；

一操作接口，供用户输入一晶体料号、一芯片料号、一电路板材料型号与一布线长度；

一处理模块，电性连接于所述操作接口，用以依据所述晶体料号发送出一指定晶体电容查找信号，并依据所述芯片料号发送出一芯片引脚电容查找信号，以及依据所述电路板材料型号与所述布线长度发送出一电路板布线电容查找信号；

一指定晶体电容查找模块，电性连接于所述处理模块与所述数据库，用以依据所述指定晶体电容查找信号自所述指定晶体电容负载对照表中查找出一对应于所述晶体料号的晶体电容值，并将所述晶体电容值传送至所述处理模块；

一芯片引脚电容查找模块，电性连接于所述处理模块与所述数据库，用以依据所述芯片引脚电容查找信号自所述芯片引脚电容对照表中查找出一对应于所述芯片料号的芯片引脚电容值，并将所述芯片引脚电容值传送至所述处理模块；以及一电路板布线电容查找模块，电性连接于所述处理模块与所述数据库，用以依据所述电路板布线电容查找信号自所述电路板布线电容对照表中查找出一对应于所述电路板材料型号与所述布线长度的电路板布线电容值，并将所述电路板布线电容值传送至所述处理模块；

其中，所述处理模块还依据所述晶体电容值、所述芯片引脚电容值以及所述电路板布线电容值计算出一外接负载电容值。

2.根据权利要求1所述的晶体振荡器的负载电容计算系统，其特征在于：所述处理模块还包含一计算单元，所述计算单元内建有一负载电容计算公式，所述计算单元用以将所述晶体电容值、所述芯片引脚电容值以及所述电路板布线电容值代入所述负载电容计算公式而计算出所述外接负载电容值。

3.根据权利要求2所述的晶体振荡器的负载电容计算系统，其特征在于：所述负载电容计算公式为Ce＝2*CL‑(Ci+Cs)，Ce为所述外接负载电容值，CL为所述晶体电容值，Ci为所述芯片引脚电容值，Cs为所述电路板布线电容值。

4.根据权利要求1所述的晶体振荡器的负载电容计算系统，其特征在于：所述指定晶体电容查找模块用以将所述晶体料号输入一指定晶体电容查找函数中，以自所述指定晶体电容负载对照表中查找出所述晶体电容值。

5.根据权利要求1所述的晶体振荡器的负载电容计算系统，其特征在于：所述芯片引脚电容查找模块用以将所述芯片料号输入一芯片引脚电容查找函数中，以自所述芯片引脚电容对照表中查找出所述芯片引脚电容值。

6.根据权利要求1所述的晶体振荡器的负载电容计算系统，其特征在于：所述电路板布线电容查找模块用以将所述电路板材料型号与所述布线长度输入一电路板布线电容查找函数中，以自所述电路板布线电容对照表中查找出所述电路板布线电容值。

7.一种晶体振荡器的负载电容计算方法，其特征在于，包含以下步骤：(A)提供一操作接口供用户输入一晶体料号、一芯片料号、一电路板材料型号与一布线长度；

(B)依据所述晶体料号自一指定晶体电容负载对照表中查找出一晶体电容值，依据所述芯片料号自一芯片引脚电容对照表中查找出一芯片引脚电容值，依据所述电路板材料型号与所述布线长度自一电路板布线电容对照表中查找出一电路板布线电容值；以及(C)依据所述晶体电容值、所述芯片引脚电容值以及所述电路板布线电容值计算出一外接负载电容值。

8.根据权利要求7所述的晶体振荡器的负载电容计算方法，其特征在于：步骤(B)利用一指定晶体电容查找模块将所述晶体料号输入一指定晶体电容查找函数中，以自所述指定晶体电容负载对照表中查找出所述晶体电容值。

9.根据权利要求7所述的晶体振荡器的负载电容计算方法，其特征在于：步骤(B)利用一芯片引脚电容查找模块将所述芯片料号输入一芯片引脚电容查找函数中，以自所述芯片引脚电容对照表中查找出所述芯片引脚电容值。

10.根据权利要求7所述的晶体振荡器的负载电容计算方法，其特征在于：步骤(B)利用一电路板布线电容查找模块将所述电路板材料型号与所述布线长度输入一电路板布线电容查找函数中，以自所述电路板布线电容对照表中查找出所述电路板布线电容值。