1.一种CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于：在CZTSSe吸收层薄膜上热蒸一层GeSe2，GeSe2厚度为5‑9nm。

2.根据权利要求1所述的CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）利用铜粉、锌粉、锡粉、硒粉和硫粉制备CZTSSe前驱体溶液及其薄膜，将CZTSSe前驱体薄膜硒化处理，制得CZTSSe吸收层薄膜；

（2）使用热蒸发法在步骤（1）制备得到的CZTSSe吸收层薄膜上热蒸一层GeSe2，热蒸发时‑4

将腔室抽真空至7×10 Pa以下；

（3）将步骤（2）中得到的沉积GeSe2后的薄膜在快速升温炉中进行表面后处理，处理时快速升温炉中保持惰性气体氛围；

（4）处理完毕后，待快速升温炉自然冷却至室温后将薄膜取出，得到改性CZTSSe吸收层薄膜。

3.根据权利要求2所述的CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于：所述步骤（1）中将铜粉、锌粉、锡粉、硒粉和硫粉按照摩尔质量比为1：0.69：0.66：0.27：2.43溶于乙二胺和乙二硫醇的混合溶剂中，于60‑70℃搅拌形成均匀稳定的浅褐色溶液，将浅褐色溶液旋涂到钼玻璃上，在310‑330℃加热1‑2 min，重复旋涂和加热的步骤，制得1‑2μm的CZTSSe前驱体薄膜。

4.根据权利要求2所述的CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于：所述步骤（1）中CZTSSe前驱体薄膜置于装有0.4‑0.6 g硒粉的石墨盒中，在通入氩气的快速升温炉中500‑550 ℃下硒化处理15‑30 min，制得CZTSSe吸收层薄膜。

5.根据权利要求2所述的CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于：所述步骤（2）中热蒸发GeSe2的蒸发速率为0.05nm/s，蒸发时间为100‑180s，GeSe2厚度为5‑9nm。

6.根据权利要求2所述的CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法，其特征在于：所述步骤（3）中表面后处理的处理温度为350‑400℃、处理时间为300‑350s。

7.权利要求1‑6任一项所述的CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法制备的CZTSSe电池，其特征在于：包括钠钙玻璃衬底、Mo背电极、改性CZTSSe吸收层薄膜、本征ZnO和Al掺杂ZnO薄膜窗口层以及Ni‑Al顶电极。

8.根据权利要求7所述的CZTSSe电池，其特征在于：所述Mo背电极由直流磁控溅射制备，厚度为800 1000nm；本征ZnO和Al掺杂ZnO薄膜均由射频磁控溅射法制备，厚度分别为50 ~

nm和250 nm；Ni‑Al顶电极由热蒸发法制备，厚度为1μm。