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专利号: 2021106909249
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,包括多个频率选择单元在二维平面内排列成阵列结构,每个频率选择单元包括顶层金属层(1)、第一高频介质基板(2)、中间金属层(3)、第二高频介质基板(4)、底层金属层(5),顶层金属层(1)、中间金属层(3)和底层金属层(5)为印刷在第一高频介质基板(2)或者第二高频介质基板(4)上的金属图案,即顶层金属层(1)、中间金属层(3)和底层金属层(5)通过第一高频介质基板(2)和第二高频介质基板(4)隔开,其特征在于,顶层金属层(1)和底层金属层(5)的金属图案为交叉蜿蜒缝隙结构,即将交叉矩形缝隙中的每个臂通过曲折处理形成蜿蜒缝隙结构,所述交叉蜿蜒缝隙结构包括四个90度旋转对称的缝隙,从旋转对称点垂直一个金属层的一个边向外延伸,每个缝隙按“弓”字形进行弯折,弯折角度为90°,形成交叉蜿蜒缝隙结构,使得其图案为旋转对称图形,且顶层金属和底层金属图案相同;中间金属层(3)为方形金属环。

2.根据权利要求1所述的一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,其特征在于,顶层金属层(1)和底层金属层(5)为矩形结构,每条边上设有一个边缘缝隙(6),边缘缝隙的范围为0.1mm‑0.15mm,且每个边缘缝隙(6)与偶极子孔径相距一段间隔,间隔范围在

0.05mm‑0.15mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,其特征在于,所述交叉蜿蜒缝隙结构包括四个90度旋转对称的缝隙,其中从旋转对称点垂直一个金属层的一个边向外延伸,该段记作w4,w4段的宽度记为g5;在w4的另一端,沿垂直w4的方向延伸,该段延伸记作w3;在w3的另一端,沿垂直w3的方向且与w4同一延伸方向延伸,该段延伸记作w2,w2段的宽度记为g6;在w2的另一端,沿垂直w2且与w3延伸方向相反的方向延伸,该段延伸记作w1;在w1的另一端,沿垂直w1且与w4延伸方向相同的方向延伸,该段延伸记作g4,g4段的宽度记为g7;在g4的另一端,沿垂直g4且与w3延伸方向相同的方向延伸,该

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段延伸记作g3;在g3的另一端,沿垂直g 且与w 延伸方向相同的方向延伸,该段延伸记作g ,宽度与g7相同。

4.根据权利要求3所述的一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,其特征在于,g5、g6、g7宽度的范围依次为1.9mm‑2mm、1.4mm‑1.5mm、1.2mm‑1.4mm。

5.根据权利要求1所述的一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,其特征在于,顶层金属层(1)和底层金属层(5)高频刚性材料或柔性材料。

6.根据权利要求1所述的一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,其特征在于,第一高频介质基板(2)和第二高频介质基板(4)厚度为0.2mm‑0.4mm。

7.根据权利要求1所述的一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面,其特征在于,通过半固化片(7)进行第一高频介质基板(2)和中间金属层(3)之间的粘合。