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专利号: 2021107169059
申请人: 河南工程学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种过渡金属Cr插层的硫族磁性化合物的制备方法,其特征在于:利用TbBr4作为输运剂制作Cr1/3NbS2铁磁性材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)混合原料粉末:将高纯度的Cr粉,Nb粉和S粉在惰性气体手套箱中充分研磨,混合均匀后放入石英管中;

(2)放入输运剂:将TeBr4粉末置于步骤(1)的石英管中;

(3)封装石英管:将步骤(2)得到的石英管从手套箱取出,用乙炔焰将石英管烧断密封;

(4)烧结成型:将步骤(3)中密封好的石英管在双温区管式炉中烧结成型。

3. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中原料粉末纯度在

99.9%及以上,全过程在充满Ar气的惰性气体手套箱中操作,手套箱中水和氧的含量≤0.1 ppm。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中Cr粉、Nb粉和S粉的质量比为1:3:6。

5. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中TeBr4作为输运剂,其含量根据石英管体积控制在3‑5 mg/mL。

6. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中使用乙炔焰进行石英管封装操作,封装过程中氧气减压阀压力显示值为0.1‑0.2 Mpa,乙炔气体减压阀压力为

0.05‑0.08 Mpa。

7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中使用双温区管式电阻炉烧结,原料放置于高温端,以1‑2℃/min速率将高温区升至935‑950℃,以1‑2℃/min速率将低温区升至870‑880℃,高低温区同时恒温7‑10天后随炉冷却。