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专利号: 2021107465353
申请人: 嘉兴学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,由单层石墨烯、双层碲烯和单层硼烯构成;

沿水平方向D,双层碲烯自左至右由m1段、m2段和m3段组成,单层硼烯自左至右由n1段、n2段和n3段组成;单层石墨烯和m1段构成左电极区,m2段、m3段、n1段和n2段构成中心散射区,n3段构成右电极区;

单层石墨烯沿水平方向D垂直堆叠在m1段上形成石墨烯/双层碲烯范德华异质结;m3段沿水平方向D垂直堆叠在n1段上形成双层碲烯/硼烯范德华异质结。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,石墨烯/双层碲烯范德华异质结的左端半无限延伸,单层硼烯的右端半无限延伸。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件的真空层厚度为

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,中心散射区的长度为L或2L,L为 双层碲烯/硼烯范德华异质结沿水平方向D重复2N个晶格周期,N为1、2或3。

5.根据权利要求4所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,双层碲烯的结构属于α晶型,其晶格取向为[001]、[010]或[100]晶向。

6.根据权利要求5所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,水平方向D为与双层碲烯共平面的水平电场a‑方向或水平电场c‑方向,水平电场a‑方向为沿着坐标轴的x方向水平施加的电场的方向,水平电场c‑方向为沿着坐标轴的z方向水平施加的电场的方向,坐标轴是范德华异质结晶胞的坐标轴。

7.根据权利要求6所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,水平方向D为与双层碲烯共平面的水平电场c‑方向。

8.根据权利要求7所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,双层碲烯的晶格取向为[100]晶向。

9.根据权利要求8所述的一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件,其特征在于,中心散射区的长度为2L;N为1。