1.一种可调节差分有源电感电路，其特征在于：包括可变电容Cb、可调PMOS晶体管负载、第一交叉耦合NMOS晶体管对、第二交叉耦合NMOS晶体管对，第二交叉耦合NMOS晶体管对连接两个可变电容Cb，第二交叉耦合NMOS晶体管对通过第一交叉耦合NMOS晶体管对连接可调PMOS晶体管负载，可调PMOS晶体管负载与第一交叉耦合NMOS晶体管对之间接入输入端Vin+、输入端Vin‑。

2.根据权利要求1所述的一种可调节差分有源电感电路，其特征在于：所述的可变电容Cb包括三个MOS晶体管电容、电压调节的MOS晶体管电容对、开关，开关S1、S2、S3分别与MOS晶体管M7、M8、M9串联，开关的一端为可变电容Cb的第一端，开关的另一端连接MOS晶体管的栅极，MOS晶体管的漏极和源极都接地；三个由开关控制的MOS晶体管电容支路以及开关Sc并联；所述电压调节的MOS晶体管电容包括两个MOS晶体管，两个MOS晶体管的漏极和源极连接调节电压Vc，其中一个MOS晶体管的栅极作为可变电容Cb的第一端，另一个MOS晶体管的栅极接地。

3.根据权利要求2所述的一种可调节差分有源电感电路，其特征在于：所述的三个MOS晶体管电容的电容值依次提高。

4.根据权利要求1所述的一种可调节差分有源电感电路，其特征在于：所述可调PMOS晶体管负载包括第一P型MOS晶体管M1和第二P型MOS晶体管M2，所述第一P型MOS管M1的源极接第二P型MOS管M2的源极再接电源VDD，第一P型MOS管M1的栅极接第二P型MOS管M2的栅极再接调节电压Vtune，第一P型MOS管M1的漏极接输入端Vin+，第二P型MOS管M2的漏极接另一输入端Vin‑。

5.根据权利要求1或4所述的一种可调节差分有源电感电路，其特征在于：所述第一交叉耦合NMOS晶体管对包括第三N型MOS晶体管M3和第四N型MOS晶体管M4，所述第三N型MOS管M3的栅极与第四N型MOS管M4的漏极连接在一起并连接输入端Vin‑；第三N型MOS管M3的漏极与第四N型MOS管M4的栅极连接在一起并连接另一输入端Vin+。

6.根据权利要求1‑3任一项所述的一种可调节差分有源电感电路，其特征在于：所述第二交叉耦合NMOS晶体管对包括第五N型MOS晶体管M5和第六N型MOS晶体管M6，所述第五N型MOS管的漏极与第六N型MOS管的栅极连接在一起并连接于可变电容Cb的第一端V1；第五N型MOS管的栅极与第六N型MOS管的漏极连接在一起并连接于另一个可变电容Cb的第一端V2，第五N型MOS管的源极与第六N型MOS管的源极接地。