1.兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤一、将基底置于真空镀膜机中，在基底的两面分别完成红外增透薄膜的镀制；

步骤二、使用去离子水将步骤一制得的样品进行超声清洗，然后将其置于匀胶机中，将光刻胶旋涂在其表面，使用加热台烘烤旋涂有光刻胶的基底；

步骤三、利用紫外光刻机对光刻胶进行紫外曝光，将掩膜版图形复制到步骤二所得的样品表面，然后使用去离子水超声清洗；

步骤四、将旋涂有PMMA的单层石墨烯薄膜转移至目标基底并去除PMMA，将其作为新的目标基底；将另一片旋涂有PMMA的单层石墨烯薄膜转移至新的目标基底上，得到二层石墨烯薄膜；重复以上步骤，最终得到多层叠加的石墨烯薄膜；

步骤五、将步骤四所得多层叠加石墨烯薄膜吸附在步骤三所得样品的光刻胶上；加热烘烤后利用有机溶剂去除样品表面光刻胶，然后使用去离子水超声清洗，最终得到兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件。

2.根据权利要求1所述兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，步骤‑2

一中，所述基底为双抛硅基底，双抛硅基底在在1.35×10 Pa的真空度下以0.6nm/s的速率‑2

沉积ZnS层，然后在2.2×10 Pa的真空度下以1.8nm/s的速率沉积MgF2薄膜，在镀膜过程中持续使用宽束冷阴极离子源辅助沉积，离子源阳极电流35mA，阴极电流12.5mA。

3.根据权利要求1所述兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，步骤‑2

一中，所述基底为双抛硅基底，双抛硅基底在1.20×10 Pa的真空度下以0.4nm/s的速率沉‑2

积ZnSe层，然后在1.9×10 Pa的真空度下以1.4nm/s的速率沉积BaF2薄膜，在镀膜过程中持续使用宽束冷阴极离子源辅助沉积，离子源阳极电流35mA，阴极电流12.5mA。

4.根据权利要求2或3所述兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，步骤二中，超声清洗时间为10分钟，匀胶机以2800转每分钟的速率旋涂25秒，加热台烘烤的加热温度为100℃，加热保持8分钟。

5.根据权利要求4所述兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，步骤三中，紫外曝光时间持续60秒，超声清洗三次，每次5分钟。

6.根据权利要求5所述兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，步骤五中，加热台烘烤15分钟，保持温度120℃；有机溶剂选用40℃的丙酮溶液，超声清洗三次，每次6分钟。

7.根据权利要求1所述兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述方法制得的器件包括基底，基底的正反两面镀设红外膜，在一个红外膜面设置石墨烯网栅。