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专利号: 2021107799091
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,所述忆阻器包括底电极、中间介质层和顶电极,其特征在于,包括下述步骤:

(1)采用阳极氧化法在所述底电极上制备所述中间介质层;

(2)采用超声辅助钎焊在所述中间介质层上制备所述顶电极。

2.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,所述底电极为钛片,厚度0.1‑5mm,所述中间介质层为氧化钛纳米管,厚度为0.01‑60μm,所述顶电极为活性金属,厚度为0.01‑5mm。

3.根据权利要求2所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,所述活性金属选自Ag、Cu、Al、Au、Pt、Pb、Sn及其合金中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(1)中,在阳极氧化前对底电极进行打磨抛光。

5.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述阳极氧化采用恒压模式,在10‑200V直流电压下氧化0.5‑4h。

6.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述阳极氧化为“一步”或“二步”阳极氧化。

7.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述阳极氧化的电解液组成为氟化铵、蒸馏水和乙二醇。

8.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述钎焊的钎料为纯金属或金属基的钎料,包括但不限于Ag及Ag基、Cu及Cu基、Al或Al基、Zn或Zn基、Sn或Sn基钎料。

9.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述钎焊的钎缝间隙为20‑500μm,搭接长度为2‑20mm。

10.根据权利要求1所述的一种超声辅助钎焊制备忆阻器的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述超声是在顶电极或底电极上施加超声波,超声频率19‑21kHz,超声功率300‑1000W,振幅1‑20μm,超声时间为0.1‑60s,共施加1‑10次。