1.一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：确定两级稀疏子阵列的阵元数目及阵元间距；

步骤2：基于步骤1中设定的参数，设计稀疏阵列构型并推导阵元位置分布的解析表达式；

步骤3：根据步骤2中设计的稀疏阵列构型及阵元位置分布的解析表达式，推导稀疏阵列在差分共阵域、求和共阵域及求和差分共阵域的连续区间；

步骤4：基于步骤3中推导的连续区间，计算求和差分虚拟阵的连续自由度及其最优解；

步骤5：基于步骤3中推导的连续区间，推导求和共阵与差分共阵重叠度的表达式；

步骤6：根据步骤4与步骤5的结果，计算该稀疏阵列构型的共阵冗余率。

2.如权利要求1所述的一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，在所述步骤1中，定义两级稀疏子阵列 和 子阵列 中的阵元数为N1且阵元间距为N1d，子阵列中的阵元数为N2且阵元间距为N2d，其中N1≤N2，d＝λ/2，λ为入射信号波长，总阵元数N＝N1+N2+1。

3.如权利要求2所述的一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，步骤2中，所述稀疏阵列构型中阵元位置分布 满足 其中

4.如权利要求3所述的一种低冗余率稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，所述步骤3中，稀疏阵列在整个差分共阵域连续且连续区间为(‑S1,S1)，其中 稀疏阵列在求和共阵域的连续区间为(‑S2,S3)，其中 N2‑N1＝ε，当0≤ε＜3时，

当ε＝3时，

当ε＝4时，

当ε＞4andε≠6时，当ε＝6时，

稀疏阵列在整个求和差分共阵域连续且连续区间为(‑S3,S3)。

5.如权利要求4所述的一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，步骤4中，所述求和差分虚拟阵的连续自由度DOF为 将DOF的最优解求解问题转化为下式的优化问题：其中DOFmax表示DOF的最优解，N0＝N‑1，根据AM‑GM不等式，上式优化问题的解为：

6.如权利要求4所述的一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，步骤5中所述求和共阵与差分共阵重叠度Ω的表达式为Ω＝2(S1‑S2+1)，根据步骤3，当0≤ε＜3时，

当ε＝3时，

当ε＝4时，

当ε＞4andε≠6时，当ε＝6时，

7.如权利要求5或6所述的一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法，其特征在于，步骤6中所述共阵冗余率η定义为当0≤ε＜3时，

当ε＝3时，

当ε＝4时，

当ε＞4andε≠6时，当ε＝6时，

当连续自由度达到最优时，根据步骤4，当 时，η＝0.16；

当 时，ε＝0， η对N0的一阶导数 且最大冗余率 和 分别表示N0＝8和N0＝10时对应的共阵冗余率；

当N1＝2,N2＝3时，η＝0.2424；

当 时，ε＝1， 且最大冗余率 表示N0＝7时对应的共阵冗余率；

在满足2＜N1≤N2条件下，当 时，共阵冗余率η≤0.0496，当时，共阵冗余率η≤0.105。