1.一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括：P+集电极（1）、N‑漂移区（2）、P‑沟道区（3）、N+发射极衬底（4）、绝缘介质层（5）、栅极金属接触区（6）、集电极金属接触区（7）、发射极金属接触区Ⅰ（8）和发射极金属接触区Ⅱ（9）；

所述P+集电极（1）位于集电极金属接触区（7）下表面，并与N‑漂移区（2）上表面接触；所述N‑漂移区（2）下表面与P‑沟道区（3）上表面接触，其右下表面与绝缘介质层（5）左上表面接触；所述P‑沟道区（3）下表面与N+发射极衬底（4）上表面和发射极金属接触区Ⅱ（9）上表面接触，其右表面与绝缘介质层（5）左表面中间部分接触；所述N+发射极衬底（4）位于P‑沟道区（3）下表面和绝缘介质层（5）下表面，其下表面与发射极金属接触区Ⅰ（8）上表面接触；

所述绝缘介质层（5）左表面与N‑漂移区（2）右下表面接触，与P‑沟道区（3）右表面接触，与N+发射极衬底（4）上中表面接触；所述栅极金属接触区（6）位于绝缘介质层（5）上表面；所述发射极金属接触区Ⅱ（9）镶嵌于N+发射极衬底（4）内部，其上表面与P‑沟道区（3）下表面接触，其下表面与发射极金属接触区Ⅰ（8）上表面接触。

2.根据权利要求1所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，该晶体管还包括N‑缓冲层（10），所述N‑缓冲层（10）位于P+集电极（1）下表面，并与N‑漂移区（2）上表面接触。

3.根据权利要求1所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，该晶体管结构适用于沟槽型MOS管，即将所述P+集电极（1）替换为N+漏极区（11）。

4.根据权利要求1所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P+集

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电极（1）掺入杂质浓度为5×10 cm ；所述N‑漂移区（2）掺入杂质浓度为1×10 cm ；所述

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P‑沟道区（3）掺入杂质浓度为1×10 cm ；所述N+发射极衬底（4）掺入杂质浓度为2×10‑3cm 。

5.根据权利要求1所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述集电极金属接触区（7）的材料包括Al、Au或Pt。

6.根据权利要求1所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述发射极金属接触区Ⅰ（8）的材料包括Ti/Al/Ti/Au合金、Ti/Al/Ni/Au合金或Ti/Al/Mo/Au合金；所述发射极金属接触区Ⅱ（9）的材料包括Ni/Ti叠金。

7.根据权利要求1所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层（5）的材料包括SiN、AlN、MgO、Ga2O3、AlHfOx及HfSiON中的一种或者几种的组合。

8.根据权利要求1 7中任意一项所述的N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，其特征~在于，该晶体管是基于GaN衬底材料制作形成。