1.一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器，其特征在于：包括自下而上依次设置的PET柔性衬底、Ag底电极、SnS2/PMMA复合薄膜阻变层和Ag顶电极。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器，其特征在于：所述Ag底电极的厚度为100 300 nm。

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3.根据权利要求1所述的一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器，其特征在于：所述Ag顶电极的厚度为100 300 nm，直径250 μm。

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4.一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤一、制备SnS2：将硫代乙酰胺、五水四氯化锡溶解在无水乙醇中，搅拌均匀直至形成透明溶液后，后装进反应釜内；维持反应釜温度150 200 ℃，进行水热反应2 6 h；反应结束~ ~

后，将产物用无水乙醇、去离子水分别清洗数次，然后恒温80 ℃烘干，得到产物SnS2；

步骤二、制备SnS2悬浮液：称取制得的0.1~1g SnS2加入10~100 mL的N‑N二甲基甲酰胺中，采用液相超声剥离法制备SnS2悬浮液；

步骤三：采用真空热蒸发镀膜法在PET柔性衬底上蒸镀厚度为100 300 nm的Ag底电极；

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步骤四：将制得的SnS2悬浮液采用真空抽滤法在底电极上制备SnS2薄膜，并采用旋转涂胶法在SnS2薄膜表面旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

步骤五：在聚甲基丙烯酸甲酯PMMA薄膜上表面真空蒸镀直径250 μm、厚度100 300 nm~

的Cu作为顶电极。

5.根据权利要求4所述的Ag/[SnS2/PMMA]/Cu柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤一中，所述五水四氯化锡与硫代乙酰胺乙醇溶液的用量分别为4 10 mmol与10 18 ~ ~

mmol，无水乙醇体积为50 100 mL。

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6.根据权利要求5所述的一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于：

步骤二中，所述液相超声剥离法的时间为1 6 h，超声功率为150 250 W。

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7.根据权利要求6所述的一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器的制备方法，其特征在‑4 

于：步骤三中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1 2 Å/s、本底真空小于5×10 Pa、蒸镀~

功率为130 160 W。

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8.根据权利要求6所述的一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤四中，所述SnS2悬浮液体积为1~3 ml，所述旋转涂胶法的转速为5000 rpm~8000 rpm，旋涂时间为60 120 s。

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9.根据权利要求6所述的一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器的制备方法，其特征在‑4

于：步骤五中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为1 2 Å/s、本底真空小于5×10  Pa、蒸镀~

功率为160 190 W。

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