1.一种SiC单晶片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、抛光盘顶部设置抛光垫，抛光头设置于抛光垫的顶部，抛光头朝向抛光盘的一侧设置背膜，SiC片位于背膜与抛光垫之间，在抛光头的压力作用下，SiC片与抛光垫表面的凸峰相接触，形成多个微接触区，且抛光垫中的还原剂产生固相还原反应，释放氧气，在微接触区形成富氧；抛光垫中的还原剂为下列物质的一种或几种：过氧化钠粉末、氯酸钾粉末、高锰酸钾粉末；

步骤二、在催化剂、氧化剂、活性剂以及摩擦作用下，氧气与SiC片表面发生固相氧化反应，在SiC片表面生成SiO2层；

步骤三、抛光垫朝向SiC片的一面具有磨粒，磨粒具有自退让功能，磨粒能够去除SiC片表面凸出的SiO2层，凹处的SiO2层因无法与磨粒接触而保留，SiC片表面凸出部分裸露出SiC单晶基体；

步骤四、SiC片表面凸出部分裸露出的SiC单晶基体再次被氧化，氧化后被磨粒去除，重复步骤一至步骤三，直至SiC片表面凹处的SiO2层也被去除，实现SiC片表面平坦化；

在步骤一至步骤四的进行中，喷头持续向抛光垫喷洒去离子水；

抛光垫中的磨粒为下列物质的一种或几种：金刚石微粉、Al2O3微粉、二氧化硅微粉，磨粒的粒径是15nm～28μm。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶片抛光方法，其特征在于，抛光垫中的氧化剂为下列物质的一种或几种：FeSO4粉末、CrO3粉末、氢氧化钠粉末。

3.根据权利要求1所述的SiC单晶片抛光方法，其特征在于，抛光垫中的催化剂为下列物质的一种或几种：Pt粉、MnO2粉、FeO粉、Fe3O4粉末、铁粉、FeCl3粉。

4.根据权利要求1所述的SiC单晶片抛光方法，其特征在于，抛光垫中的活性剂为活性碳粉或聚乙二醇粉或二者的混合物。