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专利号: 2021109067524
申请人: 重庆文理学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-08-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池结构为ITO/CdS/ AgInxSbS(2+3x/2)(Se) /Au,按如下步骤进行: S1、清洗基材:以ITO玻璃为基材,用碱性洗涤剂超声波清洗,然后去离子水进行超声洗涤;

S2、沉积CdS缓冲层:采用化学镀法在ITO基材上沉积了150nm厚的CdS缓冲层,然后在

400℃退火5min;

S3、沉积AgInxSbS (2+3x/2) (Se)吸收层:(一)配制喷涂液:

(1)硝酸银、硝酸铟溶解于乙二醇甲醚中,形成溶液A,硝酸银、硝酸铟和乙二醇甲醚的摩尔体积比为1mmol:0.25 1mmol:13 15mL;

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(2)乙酸锑溶解于乙酸中形成溶液B,乙酸锑和乙酸的摩尔体积比是1mmol:3.5 4mL;

~

(3)将溶液A和溶液B混合,加入质量浓度为68%的浓硝酸,最后加入乙酸和硫脲,混合形成喷涂液,硫脲和乙酸的摩尔体积比为7.7 8mmol:1mL,硝酸银、乙酸锑、硫脲和浓硝酸的摩~尔体积比例为1mmol:1mmol:4mmol:80μL;

(二)沉积AgInxSbS(2+3x/2)薄膜在N2环境下,N2气流量为20~24L/min,采用超声波喷涂热解沉积AgInxSbS(2+3x/2)薄膜,喷涂液进料速率为0.3mL/min,沉积速率为150nm/min,沉积温度为330℃,沉积厚度为600nm,x=0.25 1.0;

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(三)硒化

将AgInxSbS(2+3x/2)薄膜置于热处理炉的380℃高温区,将硒粉置于350℃低温区,进行硒化6~9min,得厚度为950nm的AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜;

S4、沉积Au电极层:用离子溅射镀膜机将60 nm厚的Au溅射到AgInxSbS (2+3x/2) (Se)表面。