1.一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，包括低噪声放大器单元、超再生振荡器阵列、包络检波器和基带放大器单元；其中超再生振荡器阵列设置于低噪声放大器单元与包络检测器之间；包络检测器还与基带放大器单元连接；低噪声放大器单元用于检测低噪声放大器LNA输出信号的强度，根据信号的强度调节可变增益低噪声放大器VGLNA的增益；超再生振荡器阵列用于分配电路的工作频率范围，超再生振荡器阵列包括两个及以上的相互并联的工作频段不同的耦合振荡器；包络检波单元包括基于整流结构的电流复用共栅放大器，包络检波单元具有电流复用的特征；基带放大器单元包括开环运算放大器和增益可调的闭环放大器，基带放大器单元用于确保数模转化器输入端不受输入信号功率和数据速率变化的影响。

2.根据权利要求1所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述低噪声放大器单元包括低噪声放大器LNA、信号幅度检测单元DETA、可变增益低噪声放大器VGLNA；其中低噪声放大器LNA的输入端设置有接收天线ANT；低噪声放大器LNA的输出端与可变增益低噪声放大器VGLNA的输入端连接；信号幅度检测单元DETA用于检测低噪声放大器LNA和信号幅度检测单元DETA之间的信号强弱。

3.根据权利要求1所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述超再生振荡器阵列包括四个并联的耦合振荡器；其中耦合振荡器为超再生压控振荡器SRO；所述超再生压控振荡器SRO包括超再生振荡器QSRO以及可调零相移网络ZPS；可调零相移网络ZPS设置于相邻的超再生振荡器QSRO之间；可调零相移网络ZPS用于实现输入电流和输出电流的移相，保证可调零相移网络ZPS连接的超再生振荡器QSRO两两之间的相位保持同相。

4.根据权利要求3所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述超再生压控振荡器SRO包括四个超再生振荡器QSRO以及四个可调零相移网络ZPS；四个超再生振荡器QSRO呈方形分布，超再生振荡器QSRO设置于方形的顶点上，位于方形结构的同一条边上的两个超再生振荡器QSRO通过可调零相移网络ZPS相连接；位于方形结构的对角线上的两个超再生振荡器QSRO通过导线连接，两条对角线的交点相互连通，并将交点作为超再生压控振荡器SRO的控制端，用于输入熄灭控制信号。

5.根据权利要求4所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述超再生振荡器QSRO包括晶体管、可变电容、开关电感Switchinductor以及开关电容阵列Switch cap array；晶体管共六个，分别为mos管M7‑M12，其中mos管M7‑M10共同构成对称的负阻单元；mos管M11和M12用于引入熄灭控制信号；pmos管M9以及pmos管M10的源极均与Vdd电压连接；pmos管M9的漏极与pmos管M10的栅极连接，pmos管M10的漏极与pmos管M9的栅极连接；pmos管M9的漏极还与pmos管M11的漏极连接，pmos管M10的漏极还与pmos管M12的漏极连接；pmos管M11的源极与pmos管M12的源极连接，pmos管M11的栅极与pmos管M12的栅极用于输入熄灭控制信号；开关电感Switch inductor的两端分别与pmos管M11的漏极以及pmos管M12的漏极连接；开关电容阵列Switch cap array的两端分别与pmos管M11的漏极以及pmos管M12的漏极连接；可变电容Cvar1的一端与pmos管M11的漏极连接，另一端与可变电容Cvar2连接，可变电容Cvar2的另一端与pmos管M12的漏极连接；在可变电容Cvar1和可变电容Cvar2之间输入电压Vtune；nmos管M7以及nmos管M8的源极均接地；nmos管M7的漏极与nmos管M8的栅极连接，nmos管M8的漏极与nmos管M7的栅极连接；nmos管M7的漏极还与pmos管M11的漏极连接，nmos管M8的漏极还与pmos管M12的漏极连接；其中将pmos管M11的漏极与pmos管M12的漏极分别作为正极输出Vout_Q+以及负极输出Vout_Q‑。

6.根据权利要求5所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述开关电感为高品质因子开关电感，包括电感线圈、耦合线圈、螺旋谐振单元和MOS开关；

MOS开关设置于耦合线圈上；耦合线圈相对电感线圈设置；螺旋谐振单元设置于电感线圈的内侧；螺旋谐振单元包括四个螺旋结构，四个螺旋结构通过“十”字型的导电结构连接，并且四个螺旋结构关于“十”字型的导电结构对称设置。

7.根据权利要求4所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述可调零相移网络ZPS包括电容、电感以及可变电容；其中电感C5分别与电容L1、可变电容C6以及电感L2连接；电容L1的另一端接地；可变电容C6的另一端接地；电容C5作为可调零相移网络ZPS的输入或输出端，相对的电感L2作为输出或输入端。

8.根据权利要求7所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述可调零相移网络ZPS中的电感为高品质因子电感，高品质因子电感包括电感线圈以及螺旋谐振单元；螺旋谐振单元设置于电感线圈的内侧；螺旋谐振单元包括四个螺旋结构，四个螺旋结构通过“十”字型的导电结构连接，并且四个螺旋结构关于“十”字型的导电结构对称设置。

9.根据权利要求2所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述低噪声放大器单元还包括有源隔离电路，有源隔离电路包括电感以及晶体管；其中电感Ld的两端分别连接电源Vdd以及nmos管M14的漏极；nmos管M14的栅极通过电感Lg与电源Vdd连接；nmos管M14的源极通过电感Ls与nmos管M13的漏极连接；nmos管M13的源极通过电感L4接地；nmos管M13的栅极通过电感L3接偏置电压Vbias；其中nmos管M13的栅极作为有源隔离电路的输入，nmos管M14的漏极作为输出。

10.根据权利要求9所述的一种带宽展宽的硅基毫米波超再生接收机电路，其特征在于，所述电感采用高品质因子电感，高品质因子电感包括电感线圈以及螺旋谐振单元；螺旋谐振单元设置于电感线圈的内侧；螺旋谐振单元包括四个螺旋结构，四个螺旋结构通过“十”字型的导电结构连接，并且四个螺旋结构关于“十”字型的导电结构对称设置。