1.一种用于检测黄曲霉毒素B1的修饰电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)基底工作电极抛光处理

1.1)打磨工作电极：首先采用氧化铝抛光粉将工作电极打磨成镜面，再将打磨成镜面的工作电极分别在蒸馏水中、无水乙醇中、蒸馏水中依次超声清洗5min，随后在冷空气中吹干；

1.2)判断电极打磨合格：将步骤1.1)中吹干的工作电极、参比电极、对电极三电极体系置于电化学探针溶液中，利用循环伏安法扫描，并与理论标准谱对照两峰之间的电位差，在规定范围内即电极打磨合格；

(2)基于BP‑MWCNTs‑Nafion修饰电极的制备将块状黑磷与含有饱和NaOH和5μM AgNO3的N‑甲基吡咯烷酮溶液一起分散到三颈瓶中，将分散液在冰浴条件下连续超声6h，超声过程中持续通入氮气；超声得到的棕色悬浮液

1500rpm离心10分钟，将未剥离完全的块状黑磷再次转移到三颈瓶中进行超声处理，重复上述步骤；

随后，两次产生的悬浮液混合均匀后，12,000rpm离心30min，收集沉淀即为制得的黑磷纳米片；用30mL的NMP重悬后再次离心；最后将所得到的黑磷纳米片等分为两份，一份真空干燥并称重定量，另一份用于制备MWCNTs/BP纳米复合材料；所述纳米复合材料的制备是将

45mg MWCNTs添加到15mL的BP溶液中，并将混合物超声处理1小时以获得均匀的MWCNTs/BP分散液；

将Nafion作为电极粘合剂添加到MWCNTs‑BP分散液中混合均匀以制备Nafion/MWCNTs/BP；然后，将5μL制备的BP‑MWCNTs‑Nafion纳米复合材料滴涂在抛光后的GCE表面并在红外灯下干燥；

(3)修饰电极的自组装过程

3.1)将修饰电极BP‑MWCNTs‑Nafion/GCE浸入300μL含有20mM EDC和5mM NHS的混合溶液中30分钟以活化MWCNT的‑COOH；

3.2)将5μL纳米抗体滴在经过步骤3.1)处理后的电极表面上，并在室温下孵育90分钟；

3.3)取5μL的0.5％牛血清蛋白溶液覆盖步骤3.2)处理后的电极上，室温下反应1小时以封闭可能剩余的空白位点，然后用0.1M磷酸盐缓冲溶液冲洗；获得BSA /Nb/BP‑MWCNTs‑Nafion修饰电极。

2.根据权利要求1所述的修饰电极的制备方法，其特征在于：所述氧化铝抛光粉的粒径为0.05μm；所述工作电极为玻碳电极、石墨电极、金电极或铂电极中的任意一种，所述参比电极为饱和甘汞电极或银/氯化银电极，所述对电极为在检测电路中不发生氧化还原反应的不活泼金属中任意一种。

3.根据权利要求2所述的修饰电极的制备方法，其特征在于：所述对电极为铂、金或钨。

4.根据权利要求1所述的修饰电极的制备方法，其特征在于：所述电化学探针溶液为

3‑/4‑ 2+/3+

5mL含有5mmol/L[Fe(CN)6] 或5mmol/L[Ru(NH3)6] 的0.1M磷酸盐缓冲液。

5.根据权利要求1所述的修饰电极的制备方法，其特征在于：BP为7层的黑磷纳米片，CNTs粉末为多层、单层的羧基化碳纳米管。

6.采用权利要求1‑5任一所述的制备方法制得的修饰电极。

7.采用权利要求6所述修饰电极对食品中黄曲霉毒素B1进行电化学传感检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将5μL一系列浓度的黄曲霉毒素B1分别滴加于权利要求1‑5任一所述制备方法制得的BSA/Nb/BP‑MWCNTs‑Nafion/GCE上，在室温下反应30分钟，然后用0.1M PBS充分清洗电极，开始检测；

(2)建立黄曲霉毒素B1检测标准工作曲线：将步骤(1)检测黄曲霉毒素B1后的工作电极、参比电极及对电极一同置于电解质溶液中进行差分脉冲伏安法检测。由于加入黄曲霉毒素B1后，工作电极上的纳米抗体会高特异性识别结合黄曲霉毒素B1，因此差分脉冲伏安法测得的电流会随着待测AFB1浓度的变化而变化，以黄曲霉毒素B1浓度为横坐标，峰电流的差值为纵坐标，建立黄曲霉毒素B1检测标准工作曲线；

(3)实际样品中黄曲霉毒素B1的定量快速检测取5μL含有未知黄曲霉毒素B1浓度的待测溶液滴涂在权利要求1‑5任一所述制备方法制得的BSA/Nb/BP‑MWCNTs‑Nafion/GCE上，室温下反应30min后用0.1M PBS充分清洗，然后将工作电极、参比电极、对电极浸没在电解质溶液中，采用差分脉冲伏安法测定电流值，最后根据步骤(2)建立的黄曲霉毒素B1检测标准工作曲线，即得实际样品中的黄曲霉毒素B1浓度。

8.根据权利要求7所述食品中黄曲霉毒素B1的电化学传感检测的方法，其特征在于：参比电极为饱和甘汞电极或银/氯化银电极，对电极为在检测电路中不发生氧化还原反应的不活泼金属中的任意一种。