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专利号: 2021109664031
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)先对基体进行清洗,然后进行退火预处理,将处理后的基体再进行清洗并晾干备用;

2)将钛源、氟源、酸和异丙醇均匀混合并充分搅拌,配置成反应前驱液备用;

3)将基体与反应前驱液移至不锈钢高压反应釜中,在电热鼓风干燥箱中进行水热反应,反应结束后冷却取出基体,用去离子水进行超声清洗,获得表面有二氧化钛薄膜的基体;

步骤1)中的基体为钛、钛合金中的至少一种;

步骤2)中反应前驱液中的钛源为氟钛酸铵、氟钛酸、三氯化钛、四氟化钛、硫酸亚钛中的至少一种;

步骤2)中反应前驱液中的氟源为氟钛酸铵、氟钛酸、氟化钠、四氟化钛中的至少一种。

2.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中反应前驱液中的酸为盐酸、硫酸、硝酸、草酸、乙酸中的至少一种。

3.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中反应前驱液中的钛源浓度为0.20mM‑1.60mM。

4.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤2)中钛源与酸的摩尔比为1:9‑1:100,钛源与异丙醇的摩尔比为1:25‑1 :150,钛源与氟源的摩尔比为1:2‑1:10。

5.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤1)中采用的退火预处理温度是200‑700℃,保温0.5h以上。

6.如权利要求1所述的原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,步骤3)中水热反应使用的反应时间为1‑5h,水热反应的温度为80‑200℃,水热反应后的冷却方式是水冷冷却。