1.一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，配制锡掺杂氧化铟的溶胶C；

步骤2，将获得的锡掺杂氧化铟的溶胶C通过浸渍提拉法在玻璃基板上制备凝胶薄膜；

步骤3，将提拉制备的凝胶薄膜基片于80～100℃下烘烤8～10分钟后取出，空冷至室温，之后，用无水乙醇将凝胶薄膜基片背面的凝胶薄膜擦拭掉，只保留正面的凝胶薄膜，得到带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片；

步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行曝光处理；

步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于80～100℃下烘烤8～10分钟后取出，空冷至室温；

步骤6，将烘烤后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；

步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃下退火处理0.5～1h，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤1具体按照以下步骤实施：

将2,2'‑联吡啶与乙二醇甲醚混合，室温搅拌0.5～1h，得到溶液A；在溶液A中加入硝酸铟，于124～125℃下，压力为0.5～0.8Mpa的反应釜中加热搅拌2～2.5h，得到溶胶B；在溶胶B中加入四氯化锡，在常温下搅拌1～1.5 h，即可得到锡掺杂氧化铟的溶胶C。

3.根据权利要求2所述的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤1中，四氯化锡、硝酸铟、2,2'‑联吡啶、乙二醇甲醚的摩尔比为0.1：1：0.15～0.3：50。

4.根据权利要求1所述的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤1与步骤2操作过程中，控制空气相对湿度在5％～10％。

5.根据权利要求1所述的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤4中，曝光处理的过程为：在激光干涉曝光系统中进行双光束曝光10分钟，然后将凝胶膜基片顺时针旋转90°，继续曝光10分钟后取出凝胶膜基片；曝光时，激光波长为325nm，功率为

50mW，双光束间夹角设定在108°。

6.根据权利要求1所述的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤6中，所述溶洗剂为无水乙醇与水的体积比为3：1的混合溶液或为医用酒精。

7.根据权利要求1所述的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤7中，制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列以玻璃为基板，其中格点尺寸为30～100nm，方阻为20～80Ω，平均透过率为90％～93％，且阵列规则排列。

8.一种锡掺杂氧化铟纳米阵列薄膜，采用如权利要求1‑7任意一项所述的方法制备得到。