1.源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，包含SOI晶圆的硅衬底(10)，其特征在于：

SOI晶圆的硅衬底(10)上方为SOI晶圆的衬底绝缘层(9)，SOI晶圆的衬底绝缘层(9)的上方为半导体薄膜区(3)、可互换电极a(1)、可互换电极b(2)；半导体薄膜区(3)的上方和侧面，可互换电极a(1)、可互换电极b(2)内侧部分区域的上方和侧面为栅电极绝缘层(4)；栅电极绝缘层(4)上方和侧面为可编程浮栅(5)、栅电极(6)以及绝缘介质层(11)；半导体薄膜区(3)为半导体材料，可互换电极a(1)和可互换电极b(2)为金属、合金或金属硅化物，分别位于半导体薄膜区(3)的左右两侧，并分别与半导体薄膜区(3)的左右两侧表面形成具有肖特基势垒的阻挡型接触；栅电极绝缘层(4)为绝缘介质材料；可编程浮栅(5)为金属、合金、多晶硅或氮化硅材料，位于栅电极绝缘层(4)中央的上方和侧表面，并通过绝缘介质层(11)与栅电极(6)、可互换电极a(1)、可互换电极b(2)彼此绝缘隔离；栅电极(6)为金属、合金或多晶硅材料，位于半导体薄膜区(3)两侧的上方和侧面所对应的栅电极绝缘层(4)的上表面和侧表面，并通过绝缘介质层(11)与栅电极(5)、可互换电极a(1)、可互换电极b(2)彼此绝缘隔离；可编程浮栅(5)上方左右两侧分别与编程隧穿层a(7)与编程隧穿层b(8)相接触；编程隧穿层a(7)的左侧面与可互换电极a(1)相接触；编程隧穿层b(8)的右侧面与可互换电极b(2)相接触；编程隧穿层a(7)左右两侧之间的厚度小于编程隧穿层b(8)左右两侧之间的厚度。

2.根据权利要求1所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，其特征在于：该源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管在编程隧穿层a(7)和编程隧穿层b(8)下表面以下区域具有左右对称结构；在可重置浮栅(5)被非易失重置后，即导电类型确定的情况下，可互换电极a(1)和可互换电极b(2)能够彼此互换。

3.一种如权利要求1所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的控制方法，其特征在于：编程隧穿层a(7)与编程隧穿层b(8)为同种绝缘材料，且编程隧穿层a(7)左右两侧之间的厚度小于4纳米；当可互换电极b(2)和可互换电极a(1)之间施加电势差时，会导致编程隧穿层a(7)和编程隧穿层b(8)内发生绝缘层隧道效应而使得编程隧穿层a(7)和编程隧穿层b(8)的电阻值降低，且因编程隧穿层a(7)左右两侧之间的厚度小于编程隧穿层b(8)左右两侧之间的厚度,随着可互换电极b(2)和可互换电极a(1)之间施加电势差不断增大，编程隧穿层a(7)先于编程隧穿层b(8)发生绝缘层隧道效应，编程隧穿层a(7)产生绝缘层隧道效应后，使来自可互换电极a(1)，途径编程隧穿层a(7)流入到可编程浮栅(5)的电荷多于来自可编程浮栅(5)途径编程隧穿层b(8)并流出到可互换电极b(2)的电荷，由此控制可编程浮栅(5)内的电荷量。

4.根据权利要求3所述源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的控制方法，其特征在于：当可互换电极b(2)和可互换电极a(1)之间施加正电势差时，使来自可互换电极a(1)，途径编程隧穿层a(7)流入到可编程浮栅(5)的负电荷多于来自可编程浮栅(5)途径编程隧穿层b(8)并流出到可互换电极b(2)的负电荷，通过上述过程增加可编程浮栅(5)内的净剩负电荷量或减少可编程浮栅(5)内的净剩正电荷量；

当可互换电极b(2)和可互换电极a(1)之间施加负电势差时，使来自可互换电极a(1)，途径编程隧穿层a(7)流入到可编程浮栅(5)的正电荷多于来自可编程浮栅(5)途径编程隧穿层b(8)并流出到可互换电极b(2)的正电荷，由此增加可编程浮栅(5)内的净正电荷量或减少可编程浮栅(5)内的净剩负电荷量。

5.根据权利要求3所述源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的控制方法，其特征在于：可编程浮栅(5)为由金属、合金、多晶硅、氮化硅等材料所构成的区域，其内部净剩电荷类型和电荷量是通过对可互换电极b(2)和可互换电极a(1)之间施加电势，且使得编程隧穿层a(7)和编程隧穿层b(8)产生绝缘层隧道效应来改变的；当可编程浮栅(5)内的净剩电荷为正电荷时，会对半导体薄膜区(3)产生电场效应并阻挡半导体薄膜区(3)内的正电荷“空穴”在可互换电极a(1)和可互换电极b(2)两侧之间流动，由此控制源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管工作在N型模式；当可编程浮栅(5)内的净剩电荷为负电荷时，会对半导体薄膜区(3)产生电场效应并阻挡半导体薄膜区(3)内的负电荷“电子”在可互换电极a(1)和可互换电极b(2)两侧之间流动，由此控制源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管工作在P型模式。

6.一种如权利要求1所述源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的制造方法，其特征在于：

其制造步骤如下：

步骤一：提供一个SOI晶圆，最下方为SOI晶圆的硅衬底(10)，硅衬底的上面是SOI晶圆的衬底绝缘层(9)，SOI晶圆的衬底绝缘层(9)的上表面为半导体薄膜，通过光刻、刻蚀和淀积工艺，初步形成可互换电极a(1)和可互换电极b(2)的部分区域；

步骤二：通过刻蚀工艺，刻蚀掉步骤一中半导体薄膜的上下左右部分区域至露出SOI晶圆的衬底绝缘层(9)，形成半导体薄膜区(3)；

步骤三：通过淀积工艺，在可互换电极a(1)、可互换电极b(2)和半导体薄膜区(3)的上方和侧面形成绝缘介质层后平坦化处理，初步形成栅电极绝缘层(4)；

步骤四：通过刻蚀工艺，刻蚀掉步骤三所初步形成的栅电极绝缘层(4)上方和下方的部分区域，进一步形成栅电极绝缘层(4)；

步骤五：通过淀积工艺，在步骤四所形成的栅电极绝缘层(4)上方淀积绝缘介质后平坦化处理至露出栅电极绝缘层(4)上表面，初步形成绝缘介质层(11)；

步骤六：通过光刻、刻蚀工艺，刻蚀掉栅电极绝缘层(4)两侧的部分区域至露出SOI晶圆的衬底绝缘层(9)，刻蚀掉位于电极绝缘层(4)上下两侧的绝缘介质层(11)的与半导体薄膜区(3)的左右两侧相对应的区域至露出SOI晶圆的衬底绝缘层(9)，被刻蚀掉的区域为形成栅电极(6)的部分区域预留空间；同步刻蚀掉位于电极绝缘层(4)上下两侧的绝缘介质层(11)的与半导体薄膜区(3)的中央区域所对应的部分区域至露出SOI晶圆的衬底绝缘层(9)，为可编程浮栅(5)的部分区域预留空间；

步骤七：通过淀积工艺，在步骤六所形成的结构的上方淀积金属、合金或金属硅化物并平坦化至露出栅电极绝缘层(4)，初步形成位于栅电极绝缘层(4)上下两侧的栅电极(6)和可编程浮栅(5)的部分区域，并进一步形成可互换电极a(1)、可互换电极b(2)；

步骤八：通过淀积工艺淀积绝缘介质，并通过光刻、刻蚀工艺，露出步骤七所形成的栅电极(6)，以及栅电极(6)所对应的栅电极绝缘层(4)的部分区域的上表面，同时露出步骤七所形成的可编程浮栅(5)的部分区域以及与可编程浮栅(5)的部分区域所对应的栅电极绝缘层(4)的部分区域的上表面，同时露出步骤七所形成的可互换电极a(1)、可互换电极b(2)的部分区域的上表面，并再次通过淀积工艺淀积金属、合金或金属硅化物后平坦化处理至露出绝缘介质层(11)，进一步形成可互换电极a(1)、可互换电极b(2)、可编程浮栅(5)、栅电极(6)和绝缘介质层(11)；

步骤九：通过淀积工艺淀积绝缘介质，并通过光刻、刻蚀工艺，露出步骤八所形成的位于栅电极绝缘层(4)一侧的栅电极(5)的左右两侧部分区域的上表面以及与位于栅电极绝缘层(4)一侧的栅电极(5)的左右两侧部分区域所对应的绝缘介质层(11)的部分区域，为位于栅电极绝缘层(4)一侧的栅电极(5)的左右两侧部分互连区域预留空间；同时露出步骤八所形成的可互换电极a(1)、可互换电极b(2)的部分区域的上表面以及可编程浮栅(5)中央的部分区域的上表面，并再次通过淀积工艺淀积金属、合金或金属硅化物后平坦化处理至露出绝缘介质层(11)，进一步形成可互换电极a(1)、可互换电极b(2)、可编程浮栅(5)、栅电极(6)和绝缘介质层(11)；

步骤十：通过淀积工艺淀积绝缘介质，并通过光刻、刻蚀工艺，刻蚀掉步骤九所形成的可互换电极a(1)、可互换电极b(2)以及栅电极绝缘层(4)的正上方所对应的区域至露出可互换电极a(1)、可互换电极b(2)和可编程浮栅(5)，并再次通过淀积工艺淀积金属、合金或金属硅化物后平坦化处理至露出绝缘介质层(11)，再通过刻蚀工艺刻蚀掉位于步骤九所形成的可编程浮栅(5)的上方左右两侧的金属、合金或金属硅化物的部分区域至露出绝缘介质层(11)，进一步形成可互换电极a(1)、可互换电极b(2)以及可编程浮栅(5)，并为编程隧穿层a(7)和编程隧穿层b(8)预留空间，再通过淀积工艺淀积绝缘材料，平坦化至露出可互换电极a(1)、可互换电极b(2)、可编程浮栅(5)和绝缘介质层(11)，形成编程隧穿层a(7)和编程隧穿层b(8)；

步骤十一：通过淀积工艺淀积绝缘介质，并通过光刻、刻蚀工艺，刻蚀掉步骤十所形成的可互换电极a(1)、可互换电极b(2)，并再次通过淀积工艺淀积金属、合金或金属硅化物后平坦化处理至露出绝缘介质层(11)，进一步形成可互换电极a(1)和可互换电极b(2)。