1.一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对衬底进行清洗，干燥后备用；

步骤2，在干燥后的衬底上沉积单层PS小球；

步骤3，将沉积单层PS小球的衬底置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内，设定氧气气体流量为40 sccm，腔室气体压强为2mTorr，氧气等离子体激发功率为0.5kW；

步骤4，预设单位蚀刻周期T0为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间，通过所使用的单位蚀刻周期的数量N来控制总体蚀刻时长T，蚀刻总时长T = N*15秒，所使用的N的数量对于400‑450nm、600‑650nm、750‑800nm直径的PS小球使用最多不超过14、

22、28次；

步骤5，取出衬底，蒸镀金属层，祛除PS小球以及残留物后，进行有机溶剂清洗和干燥处理，完成模板转移后，可用于微纳结构的制造。

2.根据权利要求1所述的一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，步骤1中所述衬底为硅、石英、玻璃、GaAs、InP、或Al2O3半导体晶圆衬底。

3.根据权利要求1所述的一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，步骤1中所述清洗步骤为：将衬底依次置于丙酮、异丙醇和去离子水中，并使用室温超声波水浴辅助清洗；所述干燥为衬底置于氮气环境中加热至105℃，保持5分钟。

4.根据权利要求1所述的一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，步骤2中沉积单层PS小球采用的方法为提拉法：将5μL的10%重量百分比的PS小球均匀滴在装有150ml的去离子水的口径为15cm的玻璃培养皿的液体表面；静置十分钟后，滴入5μL的2%的十二烷基硫酸钠溶液，对表面形成的松散单层PS小球进行挤压，形成致密堆积的单层PS小球膜；将衬底置于溶液中，移至该层致密堆积的单层PS小球膜之下，向空气中提拉，将该层附着于衬底之上；空气中静置15分钟，待水分蒸发后，即得到沉积了致密堆积的单层PS小球衬底。

5.根据权利要求1所述的一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，步骤3中所述氧气等离子体蚀刻机为等离子体激发功率范围500W‑2500w的电子回旋共振等离子体蚀刻机或范围在100W‑200W的高功率射频等离子体蚀刻机。

6.根据权利要求1所述的一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，步骤5中金属层的金属材料为铝，铬，钛，金，银或钯。

7.根据权利要求1所述的一种基于氧气等离子体蚀刻的高质量PS小球循环刻蚀工艺，其特征在于，步骤5中所述有机溶剂清洗的步骤为：将衬底置于有机溶剂中，并辅以不少于十分钟的低功率超声水浴清洗，所述有机溶剂为二氯甲烷或甲苯。