1.一种低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将聚苯乙烯磺酸钠、3,4乙烯二氧噻吩、高氯酸锂、十二烷基苯磺酸钠和水混合，得到阴离子水沉积溶液；

将低共熔体与所述阴离子水沉积溶液混合，得到沉积液；

利用所述沉积液进行电化学沉积，得到所述低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述低共熔体为氯化胆碱/尿素、氯化胆碱/乙二醇或氯化胆碱/甘油。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氯化胆碱/尿素中氯化胆碱与尿素的摩尔比为1:2～4。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氯化胆碱/尿素中氯化胆碱与尿素的摩尔比为1:3。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述3,4乙烯二氧噻吩与高氯酸锂的质量比为8.925:0.3197～0.638。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述3,4乙烯二氧噻吩与低共熔体的质量比为8.925:5～15。

7.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述3,4乙烯二氧噻吩与十二烷基苯磺酸钠的质量比为8.925:4.5～8。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电化学沉积的沉积电压为1.2～

1.4V，沉积时间为100～200s。

9.权利要求1～8任一项所述制备方法制得的低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜。

10.权利要求9所述的低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜在电致变色领域中的应用。