1.一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；

(2)在金属导电层上附着AAO模板；

(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；金属催化点阵的金属为镍；

(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极；

所述步骤(1)中，采用真空物理沉积技术沉积金属导电膜，具体工艺包括：在电子束蒸发设备样品台上，放入钼靶，用挡板遮挡样品台，打开机械泵，开启角阀，真‑4空度小于10Pa后关闭角阀，打开电磁阀、分子泵，抽气至压强降为10 KPa以下；打开电子束蒸发源电源，调节“预置”，使枪灯丝电流为0.2～0.3A，预热3min后调至0.5A；“高压选择”开关调到6KV，再按高压旋钮，调节光斑至靶材中央，再缓慢调大束流至100到150mA，待沉积速率稳定后，打开挡板，沉积200nm。

2.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(2)中，附着AAO模板的具体步骤为：用滴管吸取适量乙醇于硅基底上，在乙醇未完全挥发时，将AAO模板贴附到硅基底上。

3.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(3)中，采用真空物理沉积技术沉积得到金属催化点阵。

4.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述金属催化点阵的厚度为100～200nm。