1.一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；

(2)在金属导电层上附着AAO模板；

(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；

(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极。

2.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(1)中，采用真空物理沉积技术沉积金属导电膜。

3.根据权利要求2所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，所述真空物理沉积技术为电子束蒸发技术、磁控溅射技术或脉冲激光沉积技术。

4.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述金属导电膜厚度为200～300nm。

5.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述金属导电膜的金属为钼。

6.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(2)中，附着AAO模板的具体步骤为：用滴管吸取适量乙醇于硅基底上，在乙醇未完全挥发时，将AAO模板贴附到硅基底上。

7.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(3)中，采用真空物理沉积技术沉积得到金属催化点阵。

8.根据权利要求7所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，所述真空物理沉积技术为电子束蒸发技术、磁控溅射技术或脉冲激光沉积技术。

9.根据权利要求1所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述金属催化点阵的厚度为100～200nm。

10.根据权利要求1或7或8后9所述的一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，其特征在于，所述金属催化点阵的金属为镍或铜。