1.一种QLED器件，其特征在于，包括：依次层叠布置的基板、阳极以及复合空穴注入层；

其中，所述复合空穴注入层包括交替叠设的铷掺杂氧化镍薄膜以及PEDOT:PSS薄膜，所述复合空穴注入层具有与所述阳极连接的第一表面、以及远离所述阳极的第二表面，所述第一表面所在的层为铷掺杂氧化镍薄膜，所述第二表面所在的层为PEDOT:PSS薄膜；

所述铷掺杂氧化镍薄膜中，以氧化镍为基准，铷的掺杂量为10％mol。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍薄膜的厚度为27‑

33nm。

3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述PEDOT:PSS薄膜的厚度为37‑

43nm。

4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍薄膜以及所述PEDOT:PSS薄膜的数量均为一层。

5.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括设置在所述第二表面的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在所述阳极远离所述基板的一面涂覆铷掺杂氧化镍前驱体溶液，在270‑310℃退火

15‑25min以形成所述铷掺杂氧化镍薄膜；

S2、在所述铷掺杂氧化镍薄膜涂覆PEDOT:PSS溶液，在120‑160℃退火10‑20min，以形成所述PEDOT:PSS薄膜；

当所述铷掺杂氧化镍薄膜和所述PEDOT:PSS薄膜的层数分别为两层及以上时，重复步骤S1以及S2，直至完成所述复合空穴注入层的制备。

7.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述铷掺杂氧化镍前驱体溶液由以下方法制得：将醋酸铷和四水合醋酸镍溶解于有机溶剂中，于室温下搅拌10‑14h所得；

其中，所述有机溶剂包括含有二乙胺的乙二醇溶液。

8.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述涂覆包括：以2000‑4000rpm的转速将所述铷掺杂氧化镍薄膜旋涂于所述阳极远离所述基板的一面。

9.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述涂覆包括：以4000‑5000rpm转速将PEDOT:PSS溶液旋涂于铷掺杂氧化镍薄膜。